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發(fā)布時間:2021-09-03 04:20  
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光刻膠國內的研發(fā)起步較晚
光刻膠的研發(fā),關鍵在于其成分復雜、工藝技術難以掌握。光刻膠主要成分有高分子樹脂、色漿、單體、感光引發(fā)劑、溶劑以及添加劑,開發(fā)所涉及的技術難題眾多,需從低聚物結構設計和篩選、合成工藝的確定和優(yōu)化、活性單體的篩選和控制、色漿細度控制和穩(wěn)定、產品配方設計和優(yōu)化、產品生產工藝優(yōu)化和穩(wěn)定、終使用條件匹配和寬容度調整等方面進行調整。因此,要自主研發(fā)生產,技術難度非常之高。同時,這一步驟還可以減輕因高速旋轉形成的薄膜應力,從而提高光刻膠襯底上的附著性。
在光刻膠研發(fā)上,我國起步晚,2000年后才開始重視。近幾年,雖說有了快速發(fā)展,但整體還處于起步階段。事實上,工藝技術水平與國外企業(yè)有著很大的差距,尤其是材料及設備都仍依賴進口。
NR9-3000PYNR9 1500PY光刻膠價格
2,涂膠,在硅片覆蓋,旋轉,離心力,在硅片表面通過旋轉的光刻膠,工藝參數3000-6000rpm 膠膜厚0.5-1um,
3,前烘,通過在較高溫度下進行烘焙,使存底表面涂覆的光刻膠膜的溶劑揮發(fā),溶劑將至5%左右,同時增強與襯底的粘附性。前烘方法:熱平板傳導,干燥循環(huán)熱風提高附著力,紅外線輻射。
烘箱前烘條件:90-100度,10-20min,前烘時間與溫度應適當,如太長或溫度太高,光刻膠層變脆而附著力下降,而前烘不足會影響后面的顯影效果。
NR9-1000py
問題回饋:
1.我們是LED制造商,麻煩推薦幾款可以用于離子蝕刻和Lift-off工藝的光刻膠。
A 據我所知,Futurrex
有幾款膠很,NR7-1500P
NR7-3000P是專門為離子蝕刻



設計的,NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應用。
2.請問有沒有可以替代goodpr1518,Micropure去膠液和goodpr顯影液的產品?
A 美國光刻膠,Futurrex
正膠PR1-2000A
, 去膠液RR4,和顯影液RD6可以解決以上問題。
3.你們是否有可以替代Shipley
S1805的用于DVD的應用產品?
A 我們建議使用Futurrex
PR1-500A , 它有幾個優(yōu)點:比較好的解析度,比較好的線寬控制,
反射比較少,不需要HMDS,RIE后去除容易等~
4. 求助,耐高溫的光阻是那一種?
A Futurrex, NR7 serious(負光阻)Orpr1 serious(正光阻),再經過HMCTS
silyiation process,可以達到耐高溫200度,PSPI透明polyimide,可耐高溫250度以上。
5.厚膜光阻在鍍金應用上,用哪一種比較理想?
A Futurrex , NR4-8000P比干膜,和其他市面上的濕膜更加適合,和理想。
6.請教LIFT-OFF制程哪一種光阻適合?
A 可以考慮使用Futurrex
,正型光阻PR1,負型光阻用NR1&NR7,它們都可以耐高溫180度,完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。
7.請問,那位知道,RIE
Mask,用什么光阻比較好?
A 正型光阻用PR1系列,負型光阻使用NR5,兩種都可以耐高溫180度。
8.一般厚膜制程中,哪一種光阻適合?
A NR9-8000P有很高的深寬比(超過4:1),一般厚膜以及,MEMS產品的高需求。
9.在DEEP
RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P嗎?
A 建議不使用,因為使用NR5-8000更加理想和適合。
10.我們是OLED,我們有一種制程上需要一層SPACER,那種光阻適合?
A 有一種膠很適合,美國Futurrex
生產的NR1-3000PY
and和
NR1-6000PY,都適合在OLED制程中做spacers