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發(fā)布時間:2020-12-09 05:09  

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光刻膠分類

正性光刻膠和負性光刻膠

光刻膠可依據(jù)不同的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)進行分類。按照化學(xué)反應(yīng)和顯影的原理,光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。如果顯影時未曝光部分溶解于顯影液,形成的圖形與掩膜版相反,稱為負性光刻膠;如果顯影時曝光部分溶解于顯影液,形成的圖形與掩膜版相同,稱為正性光刻膠。

在實際運用過程中,由于負性光刻膠在顯影時容易發(fā)生變形和膨脹的情況,一般情況下分辨率只能達到 2 微米,因此正性光刻膠的應(yīng)用更為廣泛。

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   光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)

1.靈敏度(Sensitivity)

靈敏度是衡量光刻膠曝光速度的指標(biāo)。光刻膠的靈敏度越高,所需的曝光劑量越小。單位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。

2.分辨率(resolution)

區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關(guān)鍵尺寸(CD,Critical Dimension)來衡量分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小,光刻膠的分辨率越好。

光刻膠的分辨率是一個綜合指標(biāo),影響該指標(biāo)的因素通常有如下3個方面:

(1) 曝光系統(tǒng)的分辨率。

(2) 光刻膠的對比度、膠厚、相對分子質(zhì)量等。一般薄膠容易得到高分辨率圖形。

(3) 前烘、曝光、顯影、后烘等工藝都會影響光刻膠的分辨率。  

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光刻膠的作用有什么?

光刻是將圖形由掩膜版上轉(zhuǎn)移到硅片上,為后續(xù)的刻蝕步驟作準(zhǔn)備。在光刻過程中,需在硅片上涂一層光刻膠,經(jīng)紫外線曝光后,光刻膠的化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化,在通過顯影后,被曝光的光刻膠將被去除,從而實現(xiàn)將電路圖形由掩膜版轉(zhuǎn)移到光刻膠上。再經(jīng)過刻蝕過程,實現(xiàn)電路圖形由光刻膠轉(zhuǎn)移到硅片上。在刻蝕過程中,光刻膠起防腐蝕的保護作用。



光刻膠的成分

樹脂:光刻樹脂是一種惰性的聚合物基質(zhì) ,是用來將其他材料聚合在一-起的粘合劑。 光刻膠的粘附性、膠膜厚度等都是樹脂給的。

感光劑:感光劑是光刻膠的核心部分,他對光形式的輻射能,特別在紫外區(qū)會發(fā)生反應(yīng)。曝光時間、光源所發(fā)射光線的強,度都根據(jù)感光劑的特性選擇決定的。

溶劑:光刻膠中容量較大的成分,感光劑和添加劑都是固體物質(zhì),為了方便均勻的涂覆,要將他們加入溶劑進行溶解,形成液態(tài)物質(zhì),并且使之具有良好的流動性,可以通過選擇方式涂布在waf er表面。

添加劑:用以改變光刻膠的某些特性,如改善光刻膠發(fā)生反射而添加染色劑。