為了解決標(biāo)準(zhǔn)氣體的均勻性問題，在配制時(shí)廳以采取如下措施，促進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)氣體混合均勻。（1）先混合后裝氣，在貯氣槽或大容器內(nèi)安裝螺旋槳等攪拌器，用壓力法或其他方法把氣體充入容器中攪拌，使氣體混合均勻。當(dāng)各種氣體成分混合均勻后，用壓縮機(jī)把混合均勻的氣體充入高壓鋼瓶。但此法不適用于具有冷凝性的氣體。另外，氣體與容器內(nèi)壁之間存在著吸附與解吸過程，這對(duì)氣體成分的均勻分布也有影響。（2）加熱法，加熱能使不同氣體成分很快混均勻。但對(duì)裝有氣體的容器進(jìn)行加熱時(shí)，其溫度不得超過40℃，一般使用40℃以下的溫水或用溫水浸過的毛巾來加熱。有時(shí)亦可使用紅外燈或電熱毯來加熱。

高純氣體必須滿足的條件

:1、主體成分含量必須大于某一定值。

2、各雜質(zhì)組分含量必須小于某一定值。 電子工業(yè)用氣、儀器儀表校準(zhǔn)用的零點(diǎn)氣、標(biāo)準(zhǔn)氣配制用氣、色譜載氣等均需滿足以上要求, 可列為高純氣體。理論上, 高純氣體的純度= 主體成分含量= 1-∑ 雜質(zhì)含量。事實(shí)上, 用實(shí)驗(yàn)方法直接準(zhǔn)確測(cè)定高純氣體中主體成分含量是非常困難的。2017年5月2日，科技部印發(fā)《“十三五”先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項(xiàng)規(guī)劃》中關(guān)鍵材料部分提到面向45-28-14納米集成電路工藝，重點(diǎn)研發(fā)包括超高純電子氣體和其他關(guān)鍵材料產(chǎn)品。既使象二氧化碳這類產(chǎn)品, 可以通過規(guī)定的方法, 直接測(cè)定得到“純度值”, 但該值也包含有水分、酸性氣體及其它與強(qiáng)堿作用的成分。所以說, 該“純度”也并非理論意義上的氣體純度。而另外一種通過測(cè)定氣體中所含有的所有雜質(zhì)成分, 計(jì)算求得氣體純度(理論純度) 的方法, 同樣難以實(shí)現(xiàn)。

針對(duì)腐蝕性、毒性、燃燒性的氣體，通常設(shè)計(jì)將鋼瓶置于氣瓶柜(Gas Cabinet)內(nèi)，再透過管路將氣體供應(yīng)至現(xiàn)場(chǎng)附近的閥箱(VMB, Valve Manifold Box)，而后再進(jìn)程入制機(jī)臺(tái)的使用點(diǎn)(POU, Point of Use)，更多氣體知識(shí)請(qǐng)關(guān)注氣體圈子微信：gasgroup于進(jìn)入機(jī)臺(tái)腔體之前，會(huì)有獨(dú)立的氣體控制盤(GB, Gas Box)與制程控制模塊聯(lián)機(jī)，以質(zhì)流控制器進(jìn)行流量之控制與進(jìn)氣的混合比例控制，通常此氣體控制盤不屬于廠務(wù)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)范疇，而是歸屬制程機(jī)臺(tái)設(shè)備的一部份。一般的惰性氣體則是以開放式的氣瓶架(Gas Rack)與閥盤(VMP, Valve Manifold Panel)進(jìn)行供應(yīng)。但此法的缺點(diǎn)是為達(dá)到均勻狀態(tài)所需要的時(shí)間較長(zhǎng)，而且因氣體的種類、濃度不同而所需要的時(shí)間不同。

液化氣體的特點(diǎn)

液化氣體( Liquefied Gases )：在2111 ℃和罐裝壓力下部分液化的氣體?；蚨x為在正常溫度和172142～17237kPa 壓力下在氣瓶中液化的氣體。標(biāo)準(zhǔn)氣體主要用于儀器的校準(zhǔn)，因此，在準(zhǔn)備采購標(biāo)準(zhǔn)氣體前必須了解自己的儀器需要的標(biāo)準(zhǔn)氣體是什么組份和濃度，并將組份、濃度、包裝規(guī)格及特別要求告知標(biāo)準(zhǔn)氣體生產(chǎn)廠家。壓縮氣體(Compressed Gases) 　壓縮氣體是指在2111 ℃下, 在氣瓶中壓力超過27518kPa 的任何氣體或混合物; 或與2111 ℃下的壓力無關(guān), 于5414 ℃下壓力超過717kPa 的任何氣體或混合物; 或于3718 ℃下氣體壓力超27518kPa 的任何液體。