真空鍍膜設(shè)備實(shí)驗(yàn)分析與討論蒸發(fā)磁控濺射鍍膜機(jī)

蒸發(fā)磁控濺射真空鍍膜設(shè)備是設(shè)備利用磁控濺射陰極輝光放電將原子離化沉積在基材上和真空中利用電阻加熱法對金屬絲進(jìn)行處理,

利用特定薄膜涂層實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品不導(dǎo)電和電磁屏蔽的作用,以滿足現(xiàn)行手機(jī)的電子產(chǎn)品制造行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

產(chǎn)品相關(guān):真空電鍍設(shè)備,真空鍍膜設(shè)備

這種設(shè)備集中了等離子體處理,陰極磁控濺射,電阻蒸發(fā)鍍膜裝置,工作可靠、重復(fù)性一 致性良好、沉積速率高快,附著力好,

膜層品質(zhì)細(xì)膩，可保持原有工件表面光潔,具有韌性好,不易脫落。過程中實(shí)現(xiàn)了鍍膜工藝全自動(dòng)化控制,在基材表面利用真空鍍膜方法進(jìn)行涂層,蒸發(fā)磁控濺射鍍膜機(jī)具有生產(chǎn)成本低、產(chǎn)品合格率高、綠色環(huán)保等特點(diǎn),主要適用于電腦、手機(jī)、工業(yè)電子電器、可鍍制復(fù)合金屬膜、合金膜電磁屏蔽膜及特殊膜層等領(lǐng)域。

真空鍍膜機(jī)附著力說明了什么

附著力反映了Al膜與基片之間的相互作用力，也是保證器件經(jīng)久耐用的重要因素。真空鍍膜設(shè)備濺射原子能量比蒸發(fā)原子能量高1-2個(gè)數(shù)量級。真空鍍膜機(jī)高能量的濺射原子沉積在基片上進(jìn)行的能量轉(zhuǎn)換比蒸發(fā)原子高得多，產(chǎn)生較高的熱能，部分高能量的濺射原子產(chǎn)生不同程度的注入現(xiàn)象，在基片上形成一層濺射原子與基片原了相互溶合的偽擴(kuò)散層，而且，在真空鍍膜設(shè)備成膜過程中基片始終在等離子區(qū)中被清洗，清除了附著力不強(qiáng)的濺射原子，凈化且基片表面，增強(qiáng)了濺射原子與基片的附著力，因而濺射Al膜與基片的附著力較高。

真空鍍膜機(jī)蒸發(fā)與磁控濺射鍍鋁性能

嚴(yán)格控制發(fā)Al膜的厚度是十分重要的，因?yàn)锳l膜的厚度將直接影響Al膜的其它性能，從而影響半導(dǎo)體器件的可靠性。對于高反壓功率管來說，它的工作電壓高，電流大，沒有一定厚度的金屬膜會造成成單位面積Al膜上電流密度過高，易燒毀。對于一般的半導(dǎo)體器件，Al層偏薄，則膜的連續(xù)性較差，呈島狀或網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，引起壓焊引線困難，造成不易壓焊或壓焊不牢，從而影響成品率;Al層過厚，引起光刻時(shí)圖形看不清，造成腐蝕困難而且易產(chǎn)生邊緣腐蝕和“連條”現(xiàn)象。 采用真空鍍膜機(jī)電子束蒸發(fā)，行星機(jī)構(gòu)在沉積薄膜時(shí)均勻轉(zhuǎn)動(dòng)，各個(gè)基片在沉積Al膜時(shí)的幾率均等;行星機(jī)構(gòu)的聚焦點(diǎn)在坩堝蒸發(fā)源處，各個(gè)基片在一定真空度下沉積速率幾乎相等。采用真空鍍膜機(jī)磁控濺射鍍膜方法，由于沉積電流和靶電壓可以控制，也即是濺射功率可以調(diào)節(jié)并控制，因此膜厚的可控性和重復(fù)性較好，并且可在較大表面上獲得厚度均勻的膜層。