與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅單晶材料上。必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。目前，主要的外延技術(shù)是化學(xué)氣相沉積（CVD），通過臺階流的生長來實(shí)現(xiàn)一定厚度和摻雜的碳化硅外延材料。隨著碳化硅功率器件制造要求和耐壓等級的不斷提高，碳化硅外延材料不斷向低缺陷、厚外延方向發(fā)展。

關(guān)于碳化硅的幾個(gè)事件

1905年 次在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅。

1907年 只碳化硅晶體發(fā)光二極管誕生。

1955年 理論和技術(shù)上重大突破，LELY提出生長高品質(zhì)碳化概念，從此將碳化硅作為重要的電子材料。

1958年 在波士頓召開次世界碳化硅會(huì)議進(jìn)行學(xué)術(shù)交流。

1978年 六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯(lián)進(jìn)行研究。到1978年采用“LELY改進(jìn)技術(shù)”的晶粒提純生長方法。

1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生產(chǎn)線，供應(yīng)商開始提供商品化的碳化硅基。

晟鑫丹的產(chǎn)品不僅在國內(nèi)是暢銷品，而且還受到了國外朋友們的歡迎。所以說大品質(zhì)，值得你信賴！

 碳化硅眾所周知就是一種工業(yè)品，可是的碳化硅你們知道嗎，的碳化硅是在一個(gè)偶然的情況下發(fā)現(xiàn)的，起初被認(rèn)識到金剛砂，后來才被艾奇遜研究出來做工業(yè)冶煉碳化硅的的方法，然后就一直用著這種方法然后不斷的改進(jìn)，在加上這些年的研究部門的不斷改善，就把原來的很好的開發(fā)出來。