通常用循環(huán)熱風(fēng)烤箱或熱風(fēng)道將墨膜內(nèi)的稀釋劑“趕”出去。正確掌握烘烤溫度和烘烤時(shí)間非常重要，若溫度低和時(shí)間短，膜內(nèi)的溶劑揮發(fā)不掉，曝光時(shí)粘菲林，顯影時(shí)膜不牢;如果溫度過(guò)高或烘烤時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，由于感光樹(shù)脂產(chǎn)生熱交聯(lián)反應(yīng)，部分雙鍵被打開(kāi)，已形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，當(dāng)曝光時(shí)已失去光化學(xué)反應(yīng)機(jī)能，造成感度下降;顯影時(shí)，因未曝光部分已形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，不溶于稀堿溶液，造成顯影難。


非曝光區(qū)的光刻膠由于在曝光時(shí)并未發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在顯影時(shí)也就不會(huì)存在這樣的酸堿中和，因此非曝光區(qū)的光刻膠被保留下來(lái)。經(jīng)過(guò)曝光的正膠是逐漸溶解的，中和反應(yīng)只在光刻膠的表面進(jìn)行，因此正膠受顯影液的影響相對(duì)比較小。進(jìn)行顯影的方式有很多種，廣泛使用的方法是噴灑方法。這種顯影方式可以分為三個(gè)階段：硅片被置于旋轉(zhuǎn)臺(tái) 上，并且在硅片表面上噴灑顯影液；然后硅片將在靜止的狀態(tài)下進(jìn)行顯影；顯影完成后，需要經(jīng)過(guò)漂洗，之后再烘干。

蝕刻：蝕刻是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻利用蝕刻液與銅層反應(yīng),蝕去線路板上不需要的銅,得到所要求的線路。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻和干蝕刻兩類。

曝光：經(jīng)光源作用將原始底片上的圖像轉(zhuǎn)移到感光底板上。

蝕刻曝光就是通過(guò)曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除，在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液，達(dá)到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。