對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。產(chǎn)品經(jīng)除塵，堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質(zhì)、再經(jīng)脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進(jìn)行間歇粗餾，通過控制精餾溫度，除去O2、N2、H2，得到高純CF4。因?yàn)樗姆己退姆?硅都是共價化合物，然而碳氟鍵的鍵能遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于硅氟鍵的鍵能，鍵長也是前者短得多，所以四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。

高純四氟化碳在常溫常壓條件下化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，高純四氟化碳是一種高純電子氣體，在電子產(chǎn)業(yè)中需求量大。電子四氟化碳是目前半導(dǎo)體行業(yè)主要的等離子體蝕刻氣體之一，在硅、二氧化硅、金屬硅化物以及某些金屬的蝕刻，以及低溫制冷、電子器件表面清洗等方面被廣泛應(yīng)用。而電子特氣系統(tǒng)為它保駕護(hù)航，保證四氟化碳（CF4）的純度和安全穩(wěn)定使用。隨著手機(jī)、相機(jī)、太陽能電池等消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求量不斷攀升，高純度四氟化碳將成為四氟化碳行業(yè)的主要增長動力。

四氟化碳（CF4）早就是通過氟碳直接反應(yīng)法制得的，該方法經(jīng)過不斷的發(fā)展與完善, 如今已成為工業(yè)上制備全的主要的方法之一。四氟化碳用作低溫制冷劑及集成電路的等離子干法蝕刻技術(shù)。生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化后，隨后通過硅膠干燥塔得到產(chǎn)品。在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行，反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體，再通過冷凍，用硅膠除去氣體中的水分，后經(jīng)精餾而得成品。

四氟化碳的溶氧性很好，因此被科學(xué)家用于超深度潛水實(shí)驗(yàn)代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功，在275米到366米的深度內(nèi)，小白鼠仍可安全脫險。以活性炭與氟為原料經(jīng)氟化反應(yīng)制備。在裝有活性炭的反應(yīng)爐中，緩緩?fù)ㄈ敫邼夥鷼猓⑼ㄟ^加熱器加熱、供氟速率和反應(yīng)爐冷卻控制反應(yīng)溫度。產(chǎn)品經(jīng)除塵，堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質(zhì)、再經(jīng)脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進(jìn)行間歇粗餾，通過控制精餾溫度，除去O2、N2、H2，得到高純CF4。