非晶硒平板探測(cè)器
非晶硒（a-Se）為直接式平板探測(cè)器結(jié)構(gòu)，主要由集電矩陣、硒層、電介層、頂層電極和保護(hù)層等構(gòu)成。集電矩陣由按陣元方式排列的薄膜晶體管（TFT）組成。非晶硒半導(dǎo)體材料在薄膜晶體管陣列上方通過(guò)真空蒸鍍生成約0.5 mm厚、38 mm×45 mm見方的薄膜，它對(duì)X線很敏感，并有很高的圖像解析能力
頂層電極接高壓電源，當(dāng)有X線入射時(shí)，由于高壓電源在非晶硒表面形成的電場(chǎng)，它們只能沿電場(chǎng)方向垂直穿過(guò)絕緣層、X射線半導(dǎo)體、電子封閉層，到達(dá)非晶硒，不會(huì)出現(xiàn)橫向偏離從而出現(xiàn)光的散射。非晶硒陣列直接將X射線轉(zhuǎn)變成電信號(hào)，記憶在存儲(chǔ)電容器里，脈沖控制門電路使薄膜晶體管導(dǎo)通，把記憶在存儲(chǔ)電容器里的電荷送達(dá)電荷放大器輸出，完成光電信號(hào)的轉(zhuǎn)換，再經(jīng)數(shù)字轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換，形成數(shù)字圖像輸入計(jì)算機(jī)，并由計(jì)算機(jī)將該影像還原在監(jiān)視器上由醫(yī)生觀察監(jiān)視器直接診斷
非晶硅平板探測(cè)器
非晶硅平板探測(cè)器為間接數(shù)字化X線成像，其基本結(jié)構(gòu)為表面是一層閃爍體材料（碘化銫或硫氧化），再下一層是以非晶體硅為材料的光電二極管電路，最底層為電荷讀出電路
位于探測(cè)器表面的閃爍體將透過(guò)人體后衰減的X線轉(zhuǎn)換為可見光，閃爍體下的非晶硅光電二極管陣列又將可見光轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，在光電二極管自身的電容上形成存儲(chǔ)電荷，每個(gè)像素的存儲(chǔ)電荷量與入射X線強(qiáng)度成正比，在控制電路的作用下，掃描讀出各個(gè)像素的存儲(chǔ)電荷，經(jīng)A/D轉(zhuǎn)換后輸出數(shù)字信號(hào)，傳送給計(jì)算機(jī)進(jìn)行圖像處理從而形成X線數(shù)字影像
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發(fā)布時(shí)間：2018-09-21 09:53
