球形硅微粉主要用于大規(guī)模集成電路封裝，在航空、航天、精細(xì)化工、可擦寫(xiě)光盤(pán)、大面積電子基板、特種陶瓷及日用化妝品等高新技術(shù)領(lǐng)域也有應(yīng)用，市場(chǎng)前景廣闊。隨著我國(guó)微電子工業(yè)的迅猛發(fā)展，超大規(guī)模集成電路對(duì)封裝材料的要求越來(lái)越高，不僅要求其超細(xì)，而且要求高純度，特別是對(duì)于顆粒形狀提出球形化要求。但制備球形硅微粉是一項(xiàng)跨學(xué)科高難度工程，目前世界上只有少數(shù)國(guó)家掌握此技術(shù)。眾所周知，目前國(guó)內(nèi)采購(gòu)的球形球形氧化硅主要來(lái)自于進(jìn)口的球形球形氧化硅價(jià)格高，且運(yùn)輸周期長(zhǎng)。國(guó)內(nèi)生產(chǎn)的高質(zhì)量球形球形氧化硅，具有本土化優(yōu)勢(shì)，完全可以替代進(jìn)口。

球形硅微粉，主要用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的封裝上，根據(jù)集程度（每塊集成電路標(biāo)準(zhǔn)元件的數(shù)量）確定是否球形硅微粉，當(dāng)集程度為1M到4M時(shí)，已經(jīng)部分使用球形粉，8M到16M集程度時(shí)，已經(jīng)全部使用球形粉。250M集程度時(shí)，集成電路的線寬為0.25μm，當(dāng)1G集程度時(shí)，集成電路的線寬已經(jīng)小到0.18μm，目前計(jì)算機(jī)PⅣ 處理器的CPU芯片，就達(dá)到了這樣的水平。這時(shí)所用的球形粉為更的，主要使用多晶硅的下腳料制成正硅酸乙脂與四水解得到SiO2，也制成球形其顆粒度為 -（10～20）μm可調(diào)。這種用化學(xué)法合成的球形硅微粉比用天然的石英原料制成的球形粉要貴10倍，其原因是這種粉基本沒(méi)有性α射線污染，可做到0.02PPb以下的鈾含量。當(dāng)集程度大時(shí)，由于超大規(guī)模集成電路間的導(dǎo)線間距非常小，封裝料性大時(shí)集成電路工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生源誤差，會(huì)使超大規(guī)模集成電路工作時(shí)可靠性受到影響，因而必須對(duì)性提出嚴(yán)格要求。而天然石英原料達(dá)到(0.2～0.4) PPb就為好的原料?，F(xiàn)在國(guó)內(nèi)使用的球形粉主要是天然原料制成的球形粉，并且也是進(jìn)口粉。

　　一般集成電路都是用光刻的方法將電路集中刻制在單晶硅片上，然后接好連接引線和管角，再用環(huán)氧塑封料封裝而成。塑封料的熱膨脹率與單晶硅的越接近，集成電路的工作熱穩(wěn)定性就越好。單晶硅的熔點(diǎn)為1415℃，膨脹系數(shù)為3.5PPM，熔融石英粉的為(0.3～0.5)PPM，環(huán)氧樹(shù)脂的為(30～50)PPM，當(dāng)熔融球形石英粉以高比例加入環(huán)氧樹(shù)脂中制成塑封料時(shí)，其熱膨脹系數(shù)可調(diào)到8PPM左右，加得越多就越接近單晶硅片的，也就越好。而結(jié)晶粉俗稱生粉的熱膨脹系數(shù)為60PPM，結(jié)晶石英的熔點(diǎn)為1996℃，不能取代熔融石英粉(即熔融硅微粉)，所以中集成電路中不用球形粉時(shí)，也要用熔融的角形硅微粉。這也是球形粉想用結(jié)晶粉為近球形不能成功的原因所在。效果不行，走不通；10年前，包括現(xiàn)在我國(guó)還有人走這條路，從以上理論證明此種方法是不行的。即塑封料粉不能用結(jié)晶粉取代。

硅微粉在塑料中可用于聚(PVC)地板、聚乙烯和聚丙烯薄膜、電絕緣材料等產(chǎn)品中。填充硅微粉的聚地板磚可增強(qiáng)制品的耐磨性,在PVC地板中，細(xì)度325目的石英粉,填充量為160～180份時(shí)制得的地板完全符合GB4085-83標(biāo)準(zhǔn)的要求，地板表面光滑度好,耐刻劃度好。

在PVC耐酸板管中，400目石英粉的填充量為10%～15%時(shí)，與其它填充料比、粘度低、流動(dòng)性好，改善了加工性能，有利于制品的擠出和成型，制得的耐酸板管的耐酸性有顯著提高。比表面積大(建議600-1250目)和活性高的硅微粉填充聚乙烯(PE)農(nóng)用薄膜能改善制品的物理化學(xué)性能和光學(xué)性能，填充聚丙烯可改善制品的力學(xué)性能。