石英晶體諧振器的主要參數(shù)

晶振的主要參數(shù)有標(biāo)稱(chēng)頻率，負(fù)載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等。不同的晶振標(biāo)稱(chēng)頻率不同，標(biāo)稱(chēng)頻率大都標(biāo)明在晶振外殼上。如常用普通晶振標(biāo)稱(chēng)頻率有：48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz～40.50 MHz等，對(duì)于特殊要求的晶振頻率可達(dá)到1000 MHz以上，也有不具標(biāo)稱(chēng)頻率的，如CRB 、ZTB、Ja等系列。負(fù)載電容是指晶振的兩條引線(xiàn)連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負(fù)載頻率不同決定諧振器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱(chēng)頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。因?yàn)槭⒕w諧振器有兩個(gè)諧振頻率，一個(gè)是串聯(lián)諧振晶振的低負(fù)載電容晶振：另一個(gè)為并聯(lián)諧振晶振的高負(fù)載電容晶振。所以，標(biāo)稱(chēng)頻率相同的晶振互換時(shí)還必須要求負(fù)載電容一致，不能冒然互換，否則會(huì)造成電器工作不正常。頻率精度和頻率穩(wěn)定：由于普通晶振的性能基本性能達(dá)到一般電器的要求，對(duì)于設(shè)備還需要有一定的頻率精度和頻率穩(wěn)定性。頻率精度從量級(jí)到量級(jí)不等。穩(wěn)定度從±1到±100ppm不等。這要根據(jù)具體的設(shè)備需要而選擇合適的晶振，如通信網(wǎng)絡(luò)，無(wú)線(xiàn)資料傳輸?shù)认到y(tǒng)就需要更高要求的石英晶體諧振器。因此，晶振的參數(shù)決定了晶振的品質(zhì)和性能。

石英晶體諧振器的功能和標(biāo)識(shí)

石英晶體諧振器成品上標(biāo)有一個(gè)標(biāo)稱(chēng)頻率和廠(chǎng)家品牌標(biāo)識(shí)，當(dāng)電路工作在這個(gè)標(biāo)稱(chēng)頻率時(shí)，頻率穩(wěn)定度高。這個(gè)標(biāo)稱(chēng)頻率通常是在成品出廠(chǎng)前，在石英晶體上并接一定的負(fù)載電容條件下測(cè)定的。在實(shí)際組成石英晶體振蕩器時(shí)必須在石英晶體兩端并接負(fù)載電容，且負(fù)載電容必須符合石英晶體技術(shù)條件中所規(guī)定的數(shù)值，這個(gè)電容大都采用微調(diào)電容，以便調(diào)整。規(guī)定的負(fù)載電容值載于廠(chǎng)家的產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)中，通常為30pF(高頻晶體)，或?yàn)?00pF (低頻晶體)，還有32.768KHz普通晶體對(duì)應(yīng)的12.5PF（普通常見(jiàn)的一種負(fù)載電容）或標(biāo)示為田(這是指無(wú)需外接負(fù)載電容，通常用在串聯(lián)晶體振蕩器中)。

石英晶體諧振器的激勵(lì)

石英晶體諧振器的激勵(lì)電平應(yīng)在規(guī)定范圍內(nèi)。石英晶體諧振器在振蕩器中被激勵(lì)時(shí)，要通過(guò)激勵(lì)電流，要消耗一定的激勵(lì)功率。在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，應(yīng)使輸入石英晶體的激勵(lì)功率不超過(guò)額定值。過(guò)高的激勵(lì)功率會(huì)使石英諧振器內(nèi)部溫度升高，使石英晶片的老化效應(yīng)和頻率漂移增大；極強(qiáng)的激勵(lì)功率會(huì)使石英晶片的機(jī)械振動(dòng)過(guò)于劇烈而損壞。

晶體諧振器的分類(lèi)

諧振器一般分為插件(Dip)和貼片（SMD）插件中又分為HC-49U、HC-49S、HC-49SS、音叉型（柱狀晶振）。HC-49U一般稱(chēng)49U，有些采購(gòu)俗稱(chēng)'高型'，而HC-49S一般稱(chēng)49S，俗稱(chēng)'矮型'，HC-49SS一般稱(chēng)49SS，俗稱(chēng)（超矮型，通常是2.5mm封裝高度），音叉型按照體積分可以分為3*9、3*8、2*6、、1*5、、1*4等等。貼片型是按大小和腳位來(lái)分類(lèi)。例如7*5(0705）、6*3.5(0603）、5*3.2（5032）等等。腳位有4pin和2pin之分。