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肖特基二極管的產(chǎn)生在一定程度上彌補了整流橋等低頻率的電子元器件在應(yīng)用于整流上的不足，進而為更多環(huán)保節(jié)能要求比較高的品牌生產(chǎn)廠家提供了優(yōu)質(zhì)的選擇。

ASEMI肖特基二極管的優(yōu)勢主要概括有以下這些內(nèi)容：

肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將PN結(jié)整流管稱作結(jié)整流管，而把金屬-半導(dǎo)管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問世，這不僅可節(jié)省貴金屬，大幅度降低成本，還改善了參數(shù)的一致性。

為解決SBD在高溫下易產(chǎn)生由金屬-半導(dǎo)體的整流接觸變?yōu)闅W姆接觸而失去導(dǎo)電性這一肖特基勢壘的退化問題，ASEMI通過退火處理，形成金屬-金屬硅化物-硅勢壘，從而提高了肖特基勢壘的高溫性能與可靠性。

ASEMI生產(chǎn)的肖特基二極管全部采用俄羅斯米克朗大芯片，產(chǎn)品系列通過歐盟rosh以及美國ul認證，銷售覆蓋全球。

ASEMI肖特基二極管與快恢復(fù)二極管有什么區(qū)別?

這是兩種工藝的芯片技術(shù)，勢壘工藝肖特基二極管頻率比平面硅片的快恢復(fù)二極管更高，TRR參數(shù)只幾nS,基本忽略，正向?qū)妷旱?，只零點幾伏（低自身功耗），但點壓不高，一般只能做到200V，現(xiàn)在ASEMI有做300V的MBR30200PT。更高的參數(shù)需求可以詳詢ASEMI在線客服。

肖特基二極管

      優(yōu)點：

              1.   正向壓降小 ：              通常0.4V左右

              2.   反向恢復(fù)時間極短:        可達5納秒

              3.  大的正向電流:                1A---300A之間

     缺點：

             1.反向工作電壓VR低:          通常200V以下

             2.漏電流稍大些       :            僅有10mA

    例1：B82-400

           1.反向工作電壓VRRM:40V

           2.正向壓降VF:0.55V(IF=2.0A)

           3.漏電流IR=5mA(VRRM=40V)

          4.整流電流IF=5A

          5.浪涌電流IFSM=100A(T=10ms)

例2：1N5817,1N5818,1N5819

          1.反向工作電壓VRRM(1N5817,1N5818,1N5819 ):20V,30V,40V

           2.正向壓降VF:0.6V(IF=1.0A)

           3.漏電流IR=0.1mA(VRRM=40V)

          4.整流電流IF=1A

          5.浪涌電流IFSM=25A(T=10ms)