公司產(chǎn)品包括石英掩膜版，蘇打掩膜版，以及菲林版。蘇州制版根據(jù)客戶的構(gòu)想、草圖，定制版圖，蘇州制版提供高質(zhì)量掩膜版以及后期的代加工服務(wù)！

數(shù)字圖像處理中，圖像掩模主要用于：①提取感興趣區(qū),用預(yù)先制作的感興趣區(qū)掩模與待處理圖像相乘,得到感興趣區(qū)圖像,感興趣區(qū)內(nèi)圖像值保持不變,而區(qū)外圖像值都為0。②屏蔽作用,用掩模對圖像上某些區(qū)域作屏蔽,使其不參加處理或不參加處理參數(shù)的計算,或僅對屏蔽區(qū)作處理或統(tǒng)計。③結(jié)構(gòu)特征提取,用相似性變量或圖像匹配方法檢測和提取圖像中與掩模相似的結(jié)構(gòu)特征。透鏡：用透鏡的光學(xué)原理，將掩膜版上的電路圖按比例縮小，再用光源映射的硅片上。④特殊形狀圖像的制作。

光掩膜是刻有微電路的版，由表面純平并帶有一層鉻的石英板或玻璃板制作而成，蝕刻后的殘留鉻部分即為設(shè)計的微電圖。這種制版方式在掩膜行業(yè)稱為光透。

半導(dǎo)體集成電路制作過程通常需要經(jīng)過多次光刻襲工藝，在半導(dǎo)體晶體表面的介質(zhì)層上開鑿各種摻雜窗口、電極接觸孔或在導(dǎo)電層上刻蝕金屬互連圖形。光刻工藝需要一整套（幾塊zhidao多至十幾塊）相互間能套準(zhǔn)的、具有特定幾何圖形的光復(fù)印掩蔽模版。

光刻（英語：photolithography）是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層，例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。隨著沖版量的不斷增加和空氣中的CO2不斷溶入，顯影液中的OH-濃度會下降，pH值將越來越低，顯影時間應(yīng)慢慢變長，至后在正常曝光條件下PS版無法顯影，這就是顯影液疲勞的現(xiàn)象。

隨著沖版量的不斷增加和空氣中的CO2不斷溶入，顯影液中的OH-濃度會下降，pH值將越來越低，顯影時間應(yīng)慢慢變長，至后在正常曝光條件下PS版無法顯影，這就是顯影液疲勞的現(xiàn)象。但隨著顯影液pH值的降低，堿液對氧化層和涂層樹脂的腐蝕力下降，版材的網(wǎng)點再現(xiàn)性及耐印力比用新配制的顯影液好一些。但隨著顯影液pH值的降低，堿液對氧化層和涂層樹脂的腐蝕力下降，版材的網(wǎng)點再現(xiàn)性及耐印力比用新配制的顯影液好一些。但必須注意兩點，一是沖版量必須控制在顯影液容許范圍內(nèi)；