晶格有序度的均勻性：

這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術(shù)中的熱點問題，具體見下。

主要分類有兩個大種類：

蒸發(fā)沉積鍍膜和濺射沉積鍍膜，具體則包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，溶膠凝膠法等等

一、對于蒸發(fā)鍍膜：

一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發(fā)出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程(散點-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長)形成薄膜。

厚度均勻性主要取決于：

1、基片材料與靶材的晶格匹配程度

2、基片表面溫度

3、蒸發(fā)功率，速率

4、真空度

5、鍍膜時間，厚度大小。

組分均勻性：

蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單一組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。

晶向均勻性：

1、晶格匹配度

2、基片溫度

3、蒸發(fā)速率

防水納米液真空鍍膜技術(shù)的特點，真空鍍膜技術(shù)主要有真空蒸發(fā)鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍、真空束流沉積、化學(xué)氣相沉積等多種方法。除化學(xué)氣相沉積法外，其他幾種方法均具有以下的共同特點：

(1)各種鍍膜技術(shù)都需要一個特定的真空環(huán)境，制膜材料在加熱蒸發(fā)或濺射過程中所形成蒸氣分子的運動，不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞、阻擋和干擾，并消除大氣中雜質(zhì)的不良影響。

(2)各種鍍膜技術(shù)都需要有一個蒸發(fā)源或靶子，以便把蒸發(fā)制膜的材料轉(zhuǎn)化成氣體。由于源或靶的不斷改進(jìn)，大大擴大了制膜材料的選用范圍，無論是金屬、金屬合金、金屬間化合物、陶瓷或有機物質(zhì)，都可以蒸鍍各種金屬膜和介質(zhì)膜，而且還可以同時蒸鍍不同材料而得到多層膜。

(3)蒸發(fā)或濺射出來的制膜材料，在與待鍍的工件生成薄膜的過程中，對其膜厚可進(jìn)行比較的測量和控制，從而保證膜厚的均勻性。

Parylene涂層，其性能可以滿足電路組件的涂層需要。這些透明的聚合物實際上是高結(jié)晶和線性的，具有優(yōu)異的介電和屏蔽性能，以及化學(xué)惰性，而且致密無。

用Parylene涂敷的集成電路硅片細(xì)引線可加固5-10倍，Parylene還能滲透到硅片下面，提高硅片的結(jié)合強度，提高集成電路的可靠性。

針對印刷線路板、混合電路的涂層防護(hù)是Parylene普及的應(yīng)用之一，它符合美國軍標(biāo)Mil-I-46058C中的XY型各項指標(biāo)，滿足IPC-CC-830B防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)。在鹽霧試驗及其它惡劣環(huán)境下仍能保持電路板的高可靠性，并且不會影響電路板上電阻、熱電偶和其它元器件的功能。