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硅錠生長需要大塊的純凈多晶硅，將這些塊狀物連同少量的特殊III、V族元素放置在石英坩堝中，這稱為摻雜。加入的摻雜劑使那些長大的硅錠表現(xiàn)出所需要的電特性。普通的摻雜劑是硼、磷、砷和銻。SEMI版的全球集成電路制造廠預測報告揭示，半導體廠2010年的支出預計將上升至300多億美元，較2009年同比增長88%。因使用的摻雜劑不同，會成為一個P型或N型的硅錠（P型/硼，N型/磷、銻、砷）。

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然后將這些物質(zhì)加熱到硅的熔點——攝氏1420度之上。一旦多晶硅和摻雜劑混合物熔解，便將單晶硅種子放在熔解物的上面，只接觸表面。種子與要求的成品硅錠有相同的晶向。為了使摻雜均勻，子晶和用來熔化硅的坩堝要以相反的方向旋轉。

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全球半導體市場規(guī)模為3009.4億美元，僅實現(xiàn)微弱增長0.88%，究其原因，主要是金融危機后全球經(jīng)濟復蘇缺乏動力，美國經(jīng)濟持續(xù)低迷，歐洲債務危機益發(fā)嚴重且缺乏統(tǒng)一、有效的救助手段，新興市場國家普遍通貨膨脹加劇。經(jīng)濟環(huán)境的不景氣以及對通貨膨脹的抑制，直接導致了其對電子整機需求的減弱。此外，半導體廠商在金融危機期間逆市投資擴大產(chǎn)能的市場效應也集中于2012年釋放，市場需求放緩、制造產(chǎn)能過剩直接導致了產(chǎn)品價格的大幅下降，以DRAM產(chǎn)品價格下滑幅度。不少代工廠和存儲器公司在過去的幾個月內(nèi)宣布了增加資本開支的計劃。