磁控濺射鍍膜機

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真空鍍膜機利用這種濺射方法在基體上沉積薄膜是1877年問世的。但是，利用這種方法沉積薄膜的初期存在著濺射速率低，成膜速度慢，并且必須在裝置上設置高壓和通入惰性氣體等一系列問題。因此，發(fā)展緩慢險些被淘汰。只是在化學活性強的金屬、難容金屬、介質以及化合物等材料上得到了少量的應用。直到20世紀70年代，由于磁控濺射及時的出現(xiàn)，才使濺射鍍膜得到了迅速的發(fā)展，開始走入了復興的道路。這是因為磁控濺射法可以通過正交電磁場對電子的約束，增加了電子與氣體分子的碰撞概率，這樣不但降低了加在陰極上的電壓，而且提高了正離子對靶陰極的濺射速率，減少了電子轟擊基體的概率，從而降低了它的溫度，即具備了;高速、低溫的兩大特點。到了80年代，雖然他的出現(xiàn)僅僅十幾年間，它就從實驗室中脫穎而出，真正地進入了工業(yè)大生產(chǎn)的領域。而且，隨著科學技術的進一步發(fā)展，近幾年來在濺射鍍膜領域中推出了離子束增強濺射，采用寬束強流離子源結合磁場調制，并與常規(guī)的二極濺射相結合組成了一種新的濺射模式。而且，磁控濺射鍍膜機多少錢，又將中頻交流電源引入到磁控濺射的靶源中。這種被稱為孿生靶濺射的中頻交流磁控濺射技術，不但消除了陽極的;消失;效應。而且，也解決了陰極的問題，從而極大地提高了磁控濺射的穩(wěn)定性。為化合物薄膜制備的工業(yè)化大生產(chǎn)提供了堅實的基礎。近年來急速鍍膜的復興與發(fā)展已經(jīng)作為人們炙手可熱的一種新興的薄膜制備技術而活躍在真空鍍膜的技術領域中。

磁控濺射鍍膜機的工作原理

控濺射原理電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與原子發(fā)生碰撞，電離出大量的離子和電子，電子飛向基片。離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內，該區(qū)域內等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長，在運動過程中不斷的與原子發(fā)生碰撞電離出大量的離子轟擊靶材，經(jīng)過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，終沉積在基片上。 磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不僅僅是基片，真空室內壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢。磁場與電場的交互作用使單個電子軌跡呈三維螺旋狀，而不是僅僅在靶面圓周運動。至于靶面圓周型的濺射輪廓，磁控濺射鍍膜機哪家好，那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀。磁力線分布方向不同會對成膜有很大關系。 在機理下工作的不光磁控濺射，多弧鍍靶源，離子源，等離子源等都在此原理下工作。所不同的是電場方向，電壓電流大小而已。

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磁控濺射鍍膜機

銦錫氧化物( Indium Tin Oxide ，簡稱ITO) 薄膜是一種用途廣泛的透明導電材料，已成熟的應用于電機車擋風玻璃、液晶顯示器件、太陽能電池、全息照相和液晶彩色電視等，蓄勢待發(fā)的應用領域為有機發(fā)光二極管顯示器(Organic Light-Emitting Diode ，簡稱OLED) 。從應用角度出發(fā)，通常要求ITO 薄膜的成份是In2O3 和SnO2 ，磁控濺射鍍膜機安裝，薄膜中銦錫低價化合物愈少愈好。ITO 薄膜的制備方法很多，如噴涂、蒸發(fā)、射頻濺射和磁控濺射等。隨著液晶顯示器技術向高精細化和大型化發(fā)展，磁控濺射法備受歡迎。

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