金屬封裝外殼用作封裝的底座或散熱片時(shí)，這種復(fù)合材料把熱量帶到下一級(jí)時(shí)，并不十分有效，但是在散熱方面是極為有效的。這與纖維本身的各向異性有關(guān)，纖維取向以及纖維體積分?jǐn)?shù)都會(huì)影響復(fù)合材料的性能。金屬封裝外殼壓鑄成型工藝：全壓鑄的工藝和塑料制品的生產(chǎn)流程十分相似，都是利用精密模具進(jìn)行加工，只是材質(zhì)由塑料改成了融化的金屬；CNC與壓鑄結(jié)合工藝； Cu基復(fù)合材料純銅具有較低的退火點(diǎn)，它制成的底座出現(xiàn)軟化可以導(dǎo)致芯片和／或基板開(kāi)裂。金屬封裝形式多樣、加工靈活，可以和某些部件(如混合集成的A／D或D／A轉(zhuǎn)換器)融合為一體，適合于低I／O數(shù)的單芯片和多芯片的用途，也適合于射頻、微波、光電、聲表面波和大功率器件，可以滿足小批量、高可靠性的要求。

密度大也使Cu／W具有對(duì)空間輻射總劑量(TID)環(huán)境的優(yōu)良屏蔽作用，因?yàn)橐@得同樣的屏蔽作用，使用的鋁厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金屬封裝材料及其應(yīng)用除了Cu／W及Cu／Mo以外，傳統(tǒng)金屬封裝材料都是單一金屬或合金，它們都有某些不足，難以應(yīng)對(duì)現(xiàn)代封裝的發(fā)展?？煞タ煞ズ辖?Fe-29Ni-17Co，中國(guó)牌號(hào)4J29)的CTE與Si、GaAs以及Al2O3、BeO、AIN的CTE較為接近，具有良好的焊接性、加工性，能與硼硅硬玻璃匹配封接，在低功率密度的金屬封裝中得到廣泛的使用。但由于其熱導(dǎo)率低，電阻率高，密度也較大，使其廣泛應(yīng)用受到了很大限制。金屬基復(fù)合材料金屬封裝是采用金屬作為殼體或底座，芯片直接或通過(guò)基板安裝在外殼或底座上，引線穿過(guò)金屬殼體或底座大多采用玻璃—金屬封接技術(shù)的一種電子封裝形式。金屬封裝外殼CNC與鋁壓鑄融合便是先鋁壓鑄再運(yùn)用CNC深度加工。它廣泛用于混合電路的封裝，主要是和定制的專用氣密封裝，在許多領(lǐng)域，尤其是在軍事及航空航天領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

 金屬封裝外殼在將柱形鋁材按照前面評(píng)估的胚料大小進(jìn)行切割并擠壓，這個(gè)過(guò)程被稱之為鋁擠，會(huì)讓鋁材擠壓之后成為規(guī)則的鋁板方便加工，同時(shí)更加致密，堅(jiān)硬。因?yàn)樵嫉匿X材硬度和強(qiáng)度都不夠。因而用碳纖維(石墨纖維)增強(qiáng)的銅基復(fù)合材料在高功率密度應(yīng)用領(lǐng)域很有吸引力。與銅復(fù)合的材料沿碳纖維長(zhǎng)度方向CTE為-0．5×10-6K-1，熱導(dǎo)率600-750W(m-1K-1)，而垂直于碳纖維長(zhǎng)度方向的CTE為8×10-6K-1,熱導(dǎo)率為51-59W(m-1K-1)，比沿纖維長(zhǎng)度方向的熱導(dǎo)率至少低一個(gè)數(shù)量級(jí)。但密度大也使Cu／W具有對(duì)空間輻射總劑量(TID)環(huán)境的優(yōu)良屏蔽作用，因?yàn)橐@得同樣的屏蔽作用，使用的鋁厚度需要是Cu／W的16倍。1．2鎢、鉬Mo的CTE為5．35×10-6K-1，與可伐和Al2O3非常匹配，它的熱導(dǎo)率相當(dāng)高，為138W(m-K-1)，故常作為氣密封裝的底座與可伐的側(cè)墻焊接在一起，用在很多中、高功率密度的金屬封裝中。新型的金屬封裝材料及其應(yīng)用除了Cu／W及Cu／Mo以外，傳統(tǒng)金屬封裝材料都是單一金屬或合金，它們都有某些不足，難以應(yīng)對(duì)現(xiàn)代封裝的發(fā)展。

一種金屬封裝外殼及其制備工藝的制作方法

目前，封裝外殼主要有以下幾類(lèi)：有機(jī)封裝（塑封）、低溫玻璃封裝、陶瓷封裝、金 屬封裝，有機(jī)封裝一開(kāi)始可以通過(guò)密封壓力試驗(yàn)，成本較低，但時(shí)間長(zhǎng)了水蒸氣會(huì)進(jìn)入，所 以外殼不能用塑料封裝，只能應(yīng)用在民用產(chǎn)品上；低溫玻璃封裝機(jī)械強(qiáng)度及氣密性較 差，易產(chǎn)生漏氣或慢漏氣；盡管設(shè)計(jì)師能夠選用相近銅的方法處理這個(gè)問(wèn)題，但銅、鋁與集成ic、基鋼板比較嚴(yán)重的熱失配，給封裝的熱設(shè)計(jì)產(chǎn)生挺大艱難，危害了他們的普遍應(yīng)用。陶瓷封裝與金屬封裝是屬于全密封的形式。