真空鍍膜機(jī)濺射工藝

真空鍍膜機(jī)濺射工藝主要用于真空鍍膜機(jī)濺射刻蝕和薄膜沉積兩個方面。濺射刻蝕時，被刻蝕的材料置于靶極位置，受Ar離子的轟擊進(jìn)行刻蝕?？涛g速率與靶極材料的濺射產(chǎn)額、離子流密度和濺射室的真空度等因素有關(guān)。真空鍍膜機(jī)濺射刻蝕時，應(yīng)盡可能從真空鍍膜機(jī)濺射室中除去濺出的靶極原子。常用的方法是引入反應(yīng)氣體，使之與濺出的靶極原子反應(yīng)生成揮發(fā)性氣體，通過真空系統(tǒng)從濺射室中排出。沉積薄膜時，濺射源置于靶極，受Ar離子轟擊后發(fā)生濺射。如果靶材是單質(zhì)的，則在襯底上生成靶極物質(zhì)的單質(zhì)薄膜；若在濺射室內(nèi)有意識地引入反應(yīng)氣體，使之與濺出的靶材原子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而淀積于襯底，便可形成靶極材料的化合物薄膜。通常，制取化合物或合金薄膜是用化合物或合金靶直接進(jìn)行濺射而得。在濺射中，濺出的原子是與具有數(shù)千電子伏的高能離子交換能量后飛濺出來的，其能量較高，往往比蒸發(fā)原子高出1～2個數(shù)量級，因而用濺射法形成的薄膜與襯底的粘附性較蒸發(fā)為佳。

若在濺射時襯底加適當(dāng)?shù)钠珘海梢约骖櫼r底的清潔處理，這對生成薄膜的臺階覆蓋也有好處。另外，用真空鍍膜機(jī)濺射法可以制備不能用蒸發(fā)工藝制備的高熔點、低蒸氣壓物質(zhì)膜，便于制備化合物或合金的薄膜。濺射主要有離子束濺射和等離子體濺射兩種方法。離子束濺射裝置中，由離子槍提供一定能量的定向離子束轟擊靶極產(chǎn)生濺射。離子槍可以兼作襯底的清潔處理和對靶極的濺射。為避免在絕緣的固體表面產(chǎn)生電荷堆積，可采用荷能中性束的濺射。中性束是荷能正離子在脫離離子槍之前由電子中和所致。離子束濺射廣泛應(yīng)用于表面分析儀器中，對樣品進(jìn)行清潔處理或剝層處理。由于束斑大小有限，用于大面積襯底的快速薄膜淀積尚有困難。等離子體真空鍍膜機(jī)濺射也稱輝光放電濺射。產(chǎn)生濺射所需的正離子來源于輝光放電中的等離子區(qū)。靶極表面必須是一個高的負(fù)電位，正離子被此電場加速后獲得動能轟擊靶極產(chǎn)生濺射，同時不可避免地發(fā)生電子對襯底的轟擊。

真空鍍膜與光學(xué)鍍膜的區(qū)別

1、真空鍍膜是以真空技術(shù)為基礎(chǔ)，利用物理或化學(xué)方法，并吸收電子束、分子束、離子束、等離子束、射頻和磁控等一系列新技術(shù)。而光學(xué)鍍膜是用物理或化學(xué)的方法在材料表面鍍上一層透明的電解質(zhì)膜，或鍍一層金屬膜，目的是改變材料表面的反射和透射特性。

2、真空鍍膜是真空應(yīng)用領(lǐng)域的，而光學(xué)鍍膜是指在光學(xué)零件表面上鍍上一層(或多層)金屬(或介質(zhì))薄膜的工藝過程。

減少真空鍍膜機(jī)中灰塵的方法

如今真空鍍膜機(jī)鍍膜技術(shù)在生活中隨處可見，但真空鍍膜機(jī)在日常使用中，經(jīng)常累積上一層灰塵，這影響到后期鍍膜的整體效果，那么日常有哪些方法能減少真空鍍膜機(jī)中的灰塵呢？由于灰塵對鍍膜效果會產(chǎn)生比較大的影響，因此未來避免在真空鍍膜設(shè)備中留下灰塵，應(yīng)該在使用過程中注意以下幾點來盡量避免，除此也要注意經(jīng)常清洗，避免灰塵越積越多。

（1）真空鍍膜機(jī)一段時間后，真空室內(nèi)壁必須要清潔處理；

（2）真空鍍膜適當(dāng)?shù)脑黾迎h(huán)境的濕度，有利于降低周圍環(huán)境的懸浮固體顆粒物；

（3）工作人員在操作時需要戴手套、鞋套等，要有規(guī)范的服裝，以保證平時工作中的清潔；

（4）真空鍍膜清洗襯底材料，必須要做到嚴(yán)格合乎工藝要求；

（5）設(shè)備樣品取出后要注意放置環(huán)境的清潔問題；

（6）設(shè)備使用的源材料要符合必要的純度要求；

真空鍍膜機(jī)鍍膜層厚度范圍

真空鍍膜機(jī)鍍膜層厚度范圍 真空鍍膜機(jī)能夠沉積的鍍膜層厚度范圍為0.01-0.2，可以在這個范圍內(nèi)選擇，有的還可以鍍多層膜，滿足多種需要。日本提出沉積兩種不同鍍膜材料的卷繞式蒸鍍裝置。該裝置的真空室分為上室，左下室和右下室。蒸鍍時，兩組蒸發(fā)源蒸發(fā)的鍍膜材料分別沉積在塑料薄膜上，在塑料薄膜沒有蒸鍍的一側(cè)，裝上輝光放電發(fā)生器。發(fā)生器產(chǎn)生的輝光放電氣體能防止塑料薄膜起皺。使用這套裝置可以在極薄的塑料薄膜上鍍上無折皺的多層膜，用于制磁帶和薄膜太陽能電池等。