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發(fā)布時(shí)間:2021-06-24 04:22  

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若光源為擴(kuò)展光源(面光源),則只能在兩相干光束的特定重疊區(qū)才能觀察到干涉,故屬定域干涉。對兩表面互相平行的平面薄膜,干涉條紋定域在無窮遠(yuǎn),通常借助于會聚透鏡在其像方焦面內(nèi)觀察;對楔形薄膜,干涉條紋定域在薄膜附近。

薄膜干涉中兩相干光的光程差公式為

式中n為薄膜的折射率;t為入射點(diǎn)的薄膜厚度;θt為薄膜內(nèi)的折射角;±λ/2 是由于兩束相干光在性質(zhì)不同的兩個(gè)界面(一個(gè)是光疏-光密界面,另一是光密-光疏界面)上反射而引起的附加光程差。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制



觀察到的將是一些不規(guī)則的等厚干涉條紋,通常是一些不規(guī)則的同心環(huán).若用很平的玻璃片(如顯微鏡的承物片)則會出現(xiàn)一些平行條紋.手指用力壓緊玻璃片時(shí),空氣膜厚度變化,條紋也隨之改變.根據(jù)這個(gè)道理,可以測定平面的平直度.測定的精度很高,甚至幾分之一波長那么小的隆起或下陷都可以從條紋的彎曲上檢測出來.若使兩個(gè)很平的玻璃板間有一個(gè)很小的角度,就構(gòu)成一個(gè)楔形空氣薄膜,用已知波長的單色光入射產(chǎn)生的干涉條紋,可用來測很小的長度. 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制



二氧化硅

名稱: 二氧化硅(SiO2)

經(jīng)驗(yàn)告訴我們,氧離子助鍍(IAD)SiO將是SiO2薄膜可再現(xiàn)性問題的一個(gè)解決方法,并且能在生產(chǎn)環(huán)境中以一個(gè)可以接受的高速度蒸著薄膜.

SiO2薄膜如果壓力過大,薄膜將有氣孔并且易碎,相反壓力過低薄膜將有吸收并且折射率變大,需要充分提供高能離子或氧離子以便得到合乎需要的速度和特性

SiO2用于防反膜,冷光膜,濾光片,絕緣膜,眼鏡膜,紫外膜.

透光范圍(nm) 折射率(N) 550nm 蒸發(fā)溫度(℃) 蒸發(fā)源 應(yīng)用 雜氣排放量

200--2000 1.46 1800-2200 電子槍,防反膜,增透 少,升華

無色顆粒狀,折射率穩(wěn)定,放氣量少,和OS-10等高折射率材料組合制備截止膜,濾光片等. 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制



另外有膠補(bǔ)法,把破洞四周洗干凈,用毛刷蘸膠水涂抹,過3-5分鐘后,取一塊質(zhì)地相同的薄膜貼在上面,膠水干后即可粘牢。熱補(bǔ)法和膠補(bǔ)法補(bǔ)膜效果好,縫補(bǔ)法不但漏氣,而且容易拉開,對質(zhì)地不是較厚的薄膜好不用。

不用時(shí)挖坑埋藏薄膜在收藏期間,要嚴(yán)煙熏、火烤,否則,其使用壽命會大大縮短。棚膜好的儲存方法是挖坑埋藏,生產(chǎn)結(jié)束后,拆下的薄膜要先洗干凈晾干,卷好后用舊薄膜包裹起來,選擇土壤干濕度適中的地方挖一個(gè)坑,然后把包裹好的薄膜放進(jìn)坑內(nèi)埋藏。注意,薄膜上層離地面的距離在 30厘米以上。此法可避免農(nóng)膜在空氣中存放老化發(fā)脆,而縮短使用壽命。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制