在光刻膠的生產(chǎn)上，我國(guó)主要生產(chǎn)PCB光刻膠，LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠生產(chǎn)規(guī)模較小， 2015年據(jù)統(tǒng)計(jì)我國(guó)光刻膠產(chǎn)量為9.75萬(wàn)噸，其中中低端PCB光刻膠產(chǎn)值占比為94.4%，半導(dǎo)體和LCD光刻膠分分別占比1.6%和2.7%，嚴(yán)重依賴進(jìn)口。因此，通過(guò)調(diào)整光刻膠的配方，滿足差異化的應(yīng)用需求，是光刻膠制造商最核心的技術(shù)。

縱觀全球市場(chǎng)，光刻膠專用化學(xué)品生產(chǎn)壁壘高，國(guó)產(chǎn)化需求強(qiáng)烈。 化學(xué)結(jié)構(gòu)特殊、保密性強(qiáng)、用量少、純度要求高、生產(chǎn)工藝復(fù)雜、品質(zhì)要求苛刻，生產(chǎn)、檢測(cè)、評(píng)價(jià)設(shè)備投資大，技術(shù)需要長(zhǎng)期積累。

至今光刻膠專用化學(xué)品仍主要被被日本合成橡膠（JSR）、東京應(yīng)化（TOK）、住友化學(xué)、美國(guó)杜邦、美國(guó)futurrex、德國(guó)巴斯夫等化工寡頭壟斷。

光刻膠趨勢(shì)

半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域全球市場(chǎng)規(guī)模趨于穩(wěn)定， 2017年全球市場(chǎng)約13.5億美元；國(guó)內(nèi)市場(chǎng)約20.2億元，近5年復(fù)合增速達(dá)12%。受全球半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)蘇和國(guó)內(nèi)承接產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，預(yù)計(jì)全球光刻膠市場(chǎng)將保持穩(wěn)定增速，國(guó)內(nèi)市占率穩(wěn)步抬升。

光刻膠生產(chǎn)、檢測(cè)、評(píng)價(jià)的設(shè)備價(jià)格昂貴，需要一定前期資本投入；光刻膠企業(yè)通常運(yùn)營(yíng)成本較高，下游廠商認(rèn)證采購(gòu)時(shí)間較長(zhǎng)，為在設(shè)備、研發(fā)和技術(shù)服務(wù)上取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，需要足夠的中后期資金支持。而細(xì)化到半導(dǎo)體用光刻膠市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)企業(yè)份額不足30%，與國(guó)際水平存在較大差距。企業(yè)持續(xù)發(fā)展也需投入較大的資金，光刻膠行業(yè)在資金上存在較高的壁壘，國(guó)外光刻膠廠商相對(duì)于國(guó)內(nèi)廠商，其公司規(guī)模更大，具有資金和技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

總體上，光刻膠行業(yè)得到國(guó)家層面上的政策支持?！秶?guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，提出“研發(fā)光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備，開發(fā)光刻膠、大尺英寸硅片等關(guān)鍵材料”；國(guó)家重點(diǎn)支持的高新技術(shù)領(lǐng)域（2015）中提到“高分辨率光刻膠及配套化學(xué)品作為精細(xì)化學(xué)品重要組成部分，是重點(diǎn)發(fā)展的新材料技術(shù)”；光刻技術(shù)（包括光刻膠）是《中國(guó)制造 2025》重點(diǎn)領(lǐng)域。屬固含量（%）：31-35主要溶劑：外觀：淺液體涂敷能：均勻的無(wú)條紋涂敷100攝氏度熱板烘烤300秒后膜厚涂敷自旋速度40秒自旋。

PR1-1500A1PR1 2000A1光刻膠價(jià)格

6，堅(jiān)膜

堅(jiān)膜也叫后烘，是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現(xiàn)象，能使膠膜附著能力增強(qiáng)，康腐蝕能力提高。

堅(jiān)膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min

7，顯影檢驗(yàn)

光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對(duì)準(zhǔn)不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡

小孔、小島。

NR9-3000PY 相對(duì)于其他光刻膠具有如下優(yōu)勢(shì)：

- 優(yōu)異的分辨率性能

- 快速地顯影

- 可以通過(guò)調(diào)節(jié)曝光能量很容易地調(diào)節(jié)倒梯形側(cè)壁的角度

- 耐受溫度100℃

- 室溫儲(chǔ)存保質(zhì)期長(zhǎng)達(dá)3 年

正性光刻膠的金屬剝離技術(shù)

正性膠的金屬剝離工藝對(duì)于獲得難腐蝕金屬的細(xì)微光刻圖形比常規(guī)的光刻膠掩蔽腐蝕法顯示了優(yōu)越性。本文首先對(duì)金屬剝離工藝中的正、負(fù)光刻膠的性能作了對(duì)比分析。認(rèn)為正性光刻膠除圖形分辨率高而適應(yīng)于微細(xì)圖形的掩膜外，它還具有圖形邊緣陡直， 去膠容易等獨(dú)特性能，比負(fù)性光刻膠更有利于金屬剝離工藝。A正型光阻用PR1系列，負(fù)型光阻使用NR5，兩種都可以耐高溫180度。然后給出了具體的工藝條件，并根據(jù)正性光刻膠的使用特點(diǎn)指出了工藝中的關(guān)鍵點(diǎn)及容易出現(xiàn)的問(wèn)題。如正性光刻膠同GaAs表面的粘附性較差，這就要求對(duì)片子表面的清潔處理更為嚴(yán)格。為了高止光刻圖形的漂移控制光刻圖形的尺寸，對(duì)曝光時(shí)同特別是顯影液溫度提出了嚴(yán)格的要求。由于工藝中基本上不經(jīng)過(guò)腐蝕過(guò)程，膠膜的耐腐蝕性降到了次要地位。