醫(yī)院潔凈手術(shù)室凈化工程施工步驟

醫(yī)院潔凈手術(shù)室凈化工程施工步驟原理： 步、控制氣流，手術(shù)室內(nèi)含有一定的氣流，簡(jiǎn)單的說有很多有害物質(zhì)在空氣中，我們要做的是把空氣中有害的物質(zhì)過濾掉。 第二步、初級(jí)凈化，在手術(shù)室這一定的空間范圍，我們要將此范圍空氣中的微粒子、有害氣體、細(xì)菌等污染物質(zhì)排除，并將室內(nèi)潔凈度、壓力、溫度、氣流速度、噪音、照明及靜電控制在手術(shù)室中。

我國(guó)使用的0

我國(guó)使用的0.1微米十級(jí)潔凈室主要依賴從國(guó)外進(jìn)口。由于高潔凈級(jí)別的潔凈室造價(jià)十分昂貴，0.1微米十級(jí)潔凈室每平方米造價(jià)高達(dá)1萬(wàn)美元以上。在大規(guī)模集成電路制造裝備的投資中潔凈廠房占有相當(dāng)高的比例，這與集成電路工藝不斷更新，產(chǎn)品更新?lián)Q代周期越來越快的發(fā)展趨勢(shì)不相適應(yīng)，嚴(yán)重制約了大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展。美國(guó)ASYST公司、德國(guó)MW公司發(fā)展的使用隔離技術(shù)的亞微米生產(chǎn)微環(huán)境系統(tǒng)設(shè)備和技術(shù)在近幾年中得到廣泛采用。該項(xiàng)的潔凈技術(shù)在100級(jí)潔凈度的潔凈廠房中，采用工藝設(shè)備局部使用隔離技術(shù)的微環(huán)境，把投資比例壓縮到別的微環(huán)境，消除了操作者與工藝設(shè)備運(yùn)行的二次污染源產(chǎn)生對(duì)集成電路成品率和可靠性的影響作用。

競(jìng)爭(zhēng)方向轉(zhuǎn)變由價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)轉(zhuǎn)變?yōu)閮r(jià)值競(jìng)爭(zhēng)

競(jìng)爭(zhēng)方向轉(zhuǎn)變 由價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)轉(zhuǎn)變?yōu)閮r(jià)值競(jìng)爭(zhēng)。隨著電子產(chǎn)品的集成化、密化、微型化、功能化等趨勢(shì)，對(duì)元器件的可靠性要求越來越高，電子信息制造業(yè)對(duì)潔凈室的要求標(biāo)準(zhǔn)也更加嚴(yán)格。微量的臟污或微弱的靜電都有可能造成元器件產(chǎn)品良品率的大幅降低，直接影響公司的效益。目前硬盤磁頭的靜電壓閾值已經(jīng)下降到3 V以內(nèi)，部分IC的封裝環(huán)境要求達(dá)到Class10，甚至Class1的水平。電子信息行業(yè)的技術(shù)發(fā)展和要求促使?jié)崈艄こ绦袠I(yè)企業(yè)由價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)轉(zhuǎn)向技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)，只有具備技術(shù)研發(fā)、自主創(chuàng)新能力的企業(yè)才能滿足客戶需求而持續(xù)發(fā)展，才能設(shè)計(jì)和建造符合要求的的潔凈室，相關(guān)技術(shù)和服務(wù)能力的提升將成為未來市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。

潔凈技術(shù)方向發(fā)展空氣分子污染

潔凈技術(shù)方向發(fā)展 空氣分子污染（Airborne Molecular Contaminants，AMC）作為IC工廠所關(guān)心的問題于20年前由日本人提出，近年來，世界IC技術(shù)發(fā)展迅速，IC芯片日益微型化。AMC對(duì)當(dāng)前的IC生產(chǎn)其潛在的污染比粒子污染要廣泛多，粒子污染控制只需要確定粒徑及個(gè)數(shù)，但對(duì)AMC控制而言，除了受芯片線寬的縮小而變化外，并受工藝、工藝設(shè)備、工藝材料及傳送系統(tǒng)等的影響。更有甚者用于某一工序的各種工藝材料（化學(xué)品、特種氣體等）在很多情況下其微量的分子殘余對(duì)下一工序往往可能就是污染物。因此，IC生產(chǎn)過程中的某些加工工序及工序間的材料傳送和存放環(huán)境中，AMC已成為嚴(yán)重影響成品率的重要問題，AMC分子控制技術(shù)成為潔凈工程設(shè)計(jì)與施工建設(shè)的主流趨勢(shì)。目前，國(guó)內(nèi)的潔凈工程企業(yè)中已經(jīng)開始從事此方向的研究，在該領(lǐng)域比較的企業(yè)有亞翔集成，在分子凈化技術(shù)方面該公司已經(jīng)走在了同行業(yè)的前列，而中國(guó)電子工程設(shè)計(jì)院則在防微震方面。