刻蝕機(jī)

刻蝕精度主要是用保真度、選擇比、均勻性等參數(shù)來衡量。所謂保真度度，就是要求把光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移到其下的薄膜上，即希望只刻蝕所要刻蝕的薄膜，而對(duì)其上的掩膜和其下的襯底沒有刻蝕。事實(shí)上，以上三個(gè)部分都會(huì)被刻蝕，只是刻蝕速率不同。選擇比就是用來衡量這一指標(biāo)的參數(shù)。S=V/U（V為對(duì)薄膜的刻蝕速率，U為對(duì)掩膜或襯底的刻蝕速率），S越大則選擇比越好。由于跨越整個(gè)硅片的薄膜厚度和刻蝕速率不盡相同，從而也導(dǎo)致圖形轉(zhuǎn)移的不均勻，等離子刻蝕機(jī)尤其是中心和邊緣相差較大。因而均勻性成為衡量這一指標(biāo)的重要參數(shù)。除以上參數(shù)外，刻蝕速率也是一個(gè)重要指標(biāo)，它用來衡量硅片的產(chǎn)出速度，刻蝕速率越快，則產(chǎn)出率越高。

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離子束刻蝕機(jī)

具有一定能量的離子束轟擊樣品表面，把離子束動(dòng)能傳給樣品原子，使樣品表面的原子掙脫原子間的束縛力而濺射出來，從而實(shí)現(xiàn)刻蝕目的。這是純粹的物理濺射過程。

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離子束技術(shù)的應(yīng)用涉及物理、化學(xué)、生物、材料和信息等許多學(xué)科的交叉領(lǐng)域。離子束加工在許多精密、關(guān)鍵、高附加值的加工模具

等機(jī)械零件的生產(chǎn)中得到了廣泛應(yīng)用。一些國家用于軍事裝備的建設(shè)上，如改善蝸輪機(jī)主軸承、精密軸承、齒輪、冷凍機(jī)閥門和活塞的性能。離子注入半導(dǎo)體摻雜已成為超大規(guī)模集成電路微細(xì)加工的關(guān)鍵工藝，導(dǎo)致出現(xiàn)了80年代集成電路產(chǎn)業(yè)的騰飛。

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