之前是犯了這個(gè)很低級(jí)的錯(cuò)誤，14.5V輸出用16V耐壓電容，量產(chǎn)有1%的電容失效不良。 20.電路設(shè)計(jì)，大電容或其它電容做成臥式時(shí)，底部如有跳線需放在負(fù)極電位，這樣跳線可以不用穿套管。 這個(gè)可以節(jié)省成本。 21.整流橋堆、二極管或肖特基，晶元大小元件承認(rèn)書(shū)或在BOM表要有描述，如67mil。理由：管控供應(yīng)商送貨一至性，避免供應(yīng)商偷工減料，影響產(chǎn)品效率 另人煩腦的就是供應(yīng)商做手腳，導(dǎo)致一整批試產(chǎn)的產(chǎn)品過(guò)不了六級(jí)能效，原因就是肖特基內(nèi)部晶元用小導(dǎo)致。 22.電路設(shè)計(jì)，Snubber 電容，因?yàn)橛挟愐魡?wèn)題，優(yōu)先使用Mylar電容 。


有的時(shí)候只差2、3dB的時(shí)候換一個(gè)不同品牌會(huì)有驚喜。 EMI整改技巧之二 40.VCC上的整流二極管，這個(gè)對(duì)輻射影響也是很大的。 一個(gè)慘痛案例，一款過(guò)了EMI的產(chǎn)品，余量都有4dB以上，量產(chǎn)很多次了，其中有一次量產(chǎn)抽檢EMI發(fā)現(xiàn)輻射超1dB左右，不良率有50%，經(jīng)過(guò)層層排查、一個(gè)個(gè)元件對(duì)換。終發(fā)現(xiàn)是VCC上的整流二極管引發(fā)的問(wèn)題，更換之前的管子（留低樣品），余量有4dB。對(duì)不良管子分析，發(fā)現(xiàn)管子內(nèi)部供應(yīng)商做了鏡像處理。


理由：開(kāi)關(guān)管工作時(shí)容易干擾到背部的芯片，造成系統(tǒng)不穩(wěn)定，其它高頻器件同理 60.輸出的DC線在PCB設(shè)計(jì)時(shí)，要設(shè)計(jì)成長(zhǎng)短一至，焊盤(pán)孔間隔要小。 理由：SR的尾部留長(zhǎng)是一樣長(zhǎng)的，當(dāng)兩個(gè)焊盤(pán)孔間隔太遠(yuǎn)時(shí)，會(huì)造成不方便生產(chǎn)焊接 61.MOS管、變壓器遠(yuǎn)離AC端，改善EMI傳導(dǎo)。 理由：高頻信號(hào)會(huì)通過(guò)AC端耦合出去，從而噪聲源被EMI設(shè)備檢測(cè)到引起EMI問(wèn)題 62.驅(qū)動(dòng)電阻應(yīng)靠近MOS管。 理由：增加抗干擾能力，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性