光刻膠的相關(guān)信息

利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形?；诟泄鈽渲幕瘜W(xué)結(jié)構(gòu)，光刻膠可以分為三種類型。

光聚合型采用烯類單體，在光作用下生成自由基，自由基再進一步引發(fā)單體聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特點。光分解型采用含有疊氮醌類化合物的材料，經(jīng)光照后,會發(fā)生光分解反應(yīng),由油溶性變?yōu)樗苄?，可以制成正性膠。光交聯(lián)型采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián)，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而起到抗蝕作用，這是一種典型的負性光刻膠?？逻_公司的產(chǎn)品KPR膠即屬此類。

光刻膠主要用于圖形化工藝

以半導(dǎo)體行業(yè)為例,光刻膠主要用于半導(dǎo)體圖形化工藝。圖形化工藝是半導(dǎo)體制造過程中的核心工藝。圖形化可以簡單理解為將設(shè)計的圖像從掩模版轉(zhuǎn)移到晶圓表面合適的位置。

一般來講圖形化主要包括光刻和刻蝕兩大步驟,分別實現(xiàn)了從掩模版到光刻膠以及從光刻膠到晶圓表面層的兩步圖形轉(zhuǎn)移,流程一般分為十步:1.表面準備,2.涂膠,3.軟烘焙,4.對準和曝光,5.顯影,6.硬烘焙,7.顯影檢查,8.刻蝕,9.去除光刻膠,10.終檢查。

具體來說,在光刻前首先對于晶圓表面進行清洗,主要采用相關(guān)的濕化學(xué)品,包括氨水等。

晶圓清洗以后用旋涂法在表面涂覆一層光刻膠并烘干以后傳送到光刻機里。在掩模版與晶圓進行精準對準以后,光線透過掩模版把掩模版上的圖形投影在光刻膠上實現(xiàn)曝光,這個過程中主要采用掩模版、光刻膠、光刻膠配套以及相應(yīng)的氣體和濕化學(xué)品。

對曝光以后的光刻膠進行顯影以及再次烘焙并檢查以后,實現(xiàn)了將圖形從掩模版到光刻膠的次圖形轉(zhuǎn)移。在光刻膠的保護下,對于晶圓進行刻蝕以后剝離光刻膠然后進行檢查,實現(xiàn)了將圖形從光刻膠到晶圓的第二次圖形轉(zhuǎn)移。

目前主流的刻蝕辦法是等離子體干法刻蝕,主要用到含氟和含體。

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光刻膠市場空間與半導(dǎo)體的分不開。2012-2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模復(fù)合增速8.23%，在全球半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展下，全球半導(dǎo)體光刻膠市場持續(xù)增長。

而國內(nèi)市場，因全球半導(dǎo)體、液晶面板以及消費電子等產(chǎn)業(yè)向國內(nèi)轉(zhuǎn)移，對光刻膠需求量迅速增量。

但是遠遠不夠，從全球光刻膠的市場競爭格局來看，光刻膠市場主要由日韓企業(yè)主導(dǎo)，國內(nèi)企業(yè)市場份額集中在低端的PCB光刻膠上，高技術(shù)壁壘的LCD 和半導(dǎo)體光刻膠主要依賴進口。根據(jù)某些數(shù)據(jù)顯示，國內(nèi)光刻膠產(chǎn)值當中，PCB光刻膠的占比高達95%，半導(dǎo)體光刻膠和LCD光刻膠產(chǎn)值占比都僅有2%。

由上分析可知，我國目前在光刻膠領(lǐng)域急需技術(shù)突破的。

光刻膠的性能

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光刻膠產(chǎn)品種類多、專用性強，是典型的技術(shù)密集型行業(yè)。不同用途的光刻膠曝光光源、反應(yīng)機理、制造工藝、成膜特性、加工圖形線路的精度等性能要求不同，導(dǎo)致對于材料的感光性能、溶解性、耐蝕刻性、耐熱性等要求不同。因此每一類光刻膠使用的原料在化學(xué)結(jié)構(gòu)、性能上都比較特殊，要求使用不同品質(zhì)等級的光刻膠專用化學(xué)品。