光刻膠的應用

光刻膠的應用

       1975年，美國的國際半導體設備與材料協(xié)會首先為微電子工業(yè)配套的超凈高純化學品制定了國際統(tǒng)一標準——SEMI標準。1978年，德國的伊默克公司也制定了MOS標準。兩種標準對超凈高純化學品中金屬雜質和(塵埃)微粒的要求各有側重，分別適用于不同級別IC的制作要求。其中，SEMI標準更早取得世界范圍內的普遍認可。在光刻膠生產種類上，我國光刻膠廠商主要生產PCB光刻膠，而LCD光刻膠和半導體光刻膠生產規(guī)模較小，相關光刻膠主要依賴進口。

政策扶持

為促進我國光刻膠產業(yè)的發(fā)展，國家02重大專項給予了大力支持。今年5月，02重大專項實施管理辦公室組織任務驗收專家組、財務驗收專家組通過了“極紫外光刻膠材料與實驗室檢測技術研究”項目的任務驗收和財務驗收。

據(jù)悉，經過項目組全體成員的努力攻關，完成了EUV光刻膠關鍵材料的設計、制備和合成工藝研究、配方組成和光刻膠制備、實驗室光刻膠性能的初步評價裝備的研發(fā)，達到了任務書中規(guī)定的材料和裝備的考核指標。項目共申請發(fā)明專利15項（包括國際專利5項），截止到目前，共獲得授權專利10項（包括國際專利授權3項）。而細化到半導體用光刻膠市場，國內企業(yè)份額不足30%，與國際水平存在較大差距。

PR1-1000A1

NR9-3000PY 負性光刻膠

負膠 NR9-3000PY 被設計用于i 線（365 nm）曝光，可使用如步進光刻、掃描投影式光刻、接近式光刻

和接觸式光刻等工具。

顯影之后，NR9-3000PY 展現(xiàn)出一種倒梯形側壁，這可以方便地作單純的LIFT-OFF 處理。

NR9-3000PY 相對于其他光刻膠具有如下優(yōu)勢：

- 優(yōu)異的分辨率性能

- 快速地顯影

- 可以通過調節(jié)曝光能量很容易地調節(jié)倒梯形側壁的角度

- 耐受溫度100℃

- 室溫儲存保質期長達3 年

Lift-Off工藝

應用領域：LEDs，OLEDs，displays，MEMS，packaging，biochips。

濕法蝕刻，鍍 干法蝕刻（RIE/Ion Milling/Ion implantation）

附著力好Temperature resistance = 100°C 耐高溫Temperature resistance = 180°C

Resist Thickness NR9-3000PY 負性光刻膠

負膠 NR9-3000PY 被設計用于i 線（365

nm）曝光，可使用如步進光刻、掃描投影式光刻、接近式光刻

光刻膠

PCB

光刻膠

主要分為干膜光刻膠、濕膜光刻膠（又稱為抗蝕刻/線路油墨）、光成像阻焊油墨等。PCB 光刻膠技術壁壘相對較低，主要是中低端產品。

LCD

包含彩色濾光片用彩色光刻膠及黑色光刻膠、LCD 觸摸屏用光刻膠、TFT-LCD 正性光刻膠等產品。

彩色濾光片是LCD

實現(xiàn)彩色顯示的關鍵器件，占面板成本的14%~16%；在彩色濾光片中，彩色光刻膠和黑色光刻膠是核心材料，占其成本的27%左右，其中黑色光刻膠占彩色濾光片材料成本的6%~8%。

半導體光刻膠

包括g 線光刻膠、i 線光刻膠、KrF 光刻膠、ArF 光刻膠、聚酰YA光刻膠、掩膜板光刻膠等。