政策扶持

為促進我國光刻膠產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國家02重大專項給予了大力支持。今年5月，02重大專項實施管理辦公室組織任務驗收專家組、財務驗收專家組通過了“極紫外光刻膠材料與實驗室檢測技術研究”項目的任務驗收和財務驗收。

據(jù)悉，經(jīng)過項目組全體成員的努力攻關，完成了EUV光刻膠關鍵材料的設計、制備和合成工藝研究、配方組成和光刻膠制備、實驗室光刻膠性能的初步評價裝備的研發(fā)，達到了任務書中規(guī)定的材料和裝備的考核指標。項目共申請發(fā)明專利15項（包括國際專利5項），截止到目前，共獲得授權專利10項（包括國際專利授權3項）。一部分閃存產(chǎn)品前段器件形成時，需要利用前面存儲單元cell區(qū)域的層多晶硅與光刻膠共同定義摻雜的區(qū)域，由于光刻膠是作為高濃度金屬摻雜時的阻擋層，在摻雜的過程中，光刻膠的外層吸附了一定濃度的金屬離子，這使得光刻膠最外面形成一層堅硬的外殼。

光刻膠市場

據(jù)統(tǒng)計資料顯示，2017年中國光刻膠行業(yè)產(chǎn)量達到7.56萬噸，較2016年增加0.29萬噸，其中，中國本土光刻膠產(chǎn)量為4.41萬噸，與7.99萬噸的需求量差異較大，說明我國供給能力還需提升。

國內企業(yè)的光刻膠產(chǎn)品目前還主要用于PCB領域，代表企業(yè)有晶瑞股份、科華微電子。

在半導體應用領域，隨著汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等發(fā)展，會在一定程度上增加對G線、I線的需求，利好G線、I線等生產(chǎn)企業(yè)。預計G線正膠今后將占據(jù)50%以上市場份額，I線正膠將占據(jù)40%左右的市場份額，DUV等其他光刻膠約占10%市場份額，給予北京科華、蘇州瑞紅等國內公司及美國futurrex的光刻膠較大市場機會。NR9-3000PY負性光刻膠負膠NR9-3000PY被設計用于i線（365nm）曝光，可使用如步進光刻、掃描投影式光刻、接近式光刻和接觸式光刻等工具。

全球市場

目前，光刻膠單一產(chǎn)品市場規(guī)模與海外巨頭公司營收規(guī)模相比較小，光刻膠僅為大型材料廠商的子業(yè)務。但由于光刻膠技術門檻高，就某一光刻膠子行業(yè)而言，僅有少數(shù)幾家供應商有產(chǎn)品供應。

由于光刻膠產(chǎn)品技術要求較高，中國光刻膠市場基本由外資企業(yè)占據(jù)，國內企業(yè)市場份額不足40%，高分辨率的KrF和ArF光刻膠，其核心技術基本被日本和美國企業(yè)所壟斷，產(chǎn)品也基本出自日本和美國公司，包括陶氏化學、JSR株式會社、信越化學、東京應化工業(yè)、Fujifilm，以及韓國東進等企業(yè)。光刻膠市場據(jù)統(tǒng)計資料顯示，2017年中國光刻膠行業(yè)產(chǎn)量達到7。

而細化到半導體用光刻膠市場，國內企業(yè)份額不足30%，與國際水平存在較大差距。超過80%市場份額掌握在日本住友、TOK、美國陶氏、美國futurrex等公司手中，國內公司中，蘇州瑞紅與北京科華實現(xiàn)了部分品種的國產(chǎn)化，但是整體技術水平較低，僅能進入8英寸集成電路生產(chǎn)線與LED等產(chǎn)線。1μm高溫耐受用于i線曝光的負膠LEDOLED、顯示器、MEMS、封裝、生物芯片等金屬和介電質上圖案化，不必使用RIE加工器件的永組成（OLED顯示器上的間隔區(qū)）凸點、互連、空中連接微通道顯影時形成光刻膠倒梯形結構厚度范圍：0。

PR1-1500A1NR9 3000P光刻膠廠家

正性光刻膠的金屬剝離技術

正性膠的金屬剝離工藝對于獲得難腐蝕金屬的細微光刻圖形比常規(guī)的光刻膠掩蔽腐蝕法顯示了優(yōu)越性。本文首先對金屬剝離工藝中的正、負光刻膠的性能作了對比分析。認為正性光刻膠除圖形分辨率高而適應于微細圖形的掩膜外，它還具有圖形邊緣陡直， 去膠容易等獨特性能，比負性光刻膠更有利于金屬剝離工藝。然后給出了具體的工藝條件，并根據(jù)正性光刻膠的使用特點指出了工藝中的關鍵點及容易出現(xiàn)的問題。如正性光刻膠同GaAs表面的粘附性較差，這就要求對片子表面的清潔處理更為嚴格。為了高止光刻圖形的漂移控制光刻圖形的尺寸，對曝光時同特別是顯影液溫度提出了嚴格的要求。A美國光刻膠，F(xiàn)uturrex正膠PR1-2000A,去膠液RR4，和顯影液RD6可以解決以上問題。由于工藝中基本上不經(jīng)過腐蝕過程，膠膜的耐腐蝕性降到了次要地位。