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快恢復(fù)二極管與肖特基二極管又有什么不同呢？相比之下，ASEMI肖特基二極管又會(huì)有什么樣的優(yōu)勢(shì)呢？

首先，我們來(lái)看一下一般的快恢復(fù)二極管。UFRD的反向恢復(fù)時(shí)間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領(lǐng)域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬開關(guān)為100kHz的SMPS，由于UFRD的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發(fā)展趨勢(shì)。

ASEMI肖特基二極管新品介紹——

SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面:

1)由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。

2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問(wèn)題。SBD的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢(shì)壘電容的充、放電時(shí)間，完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開關(guān)速度非?？欤_關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。

采用這種結(jié)構(gòu)的SBD，擊穿電壓由PN結(jié)承受。通過(guò)調(diào)控N-區(qū)電阻率、外延層厚度和P 區(qū)的擴(kuò)散深度，使反偏時(shí)的擊穿電壓突破了100V這個(gè)長(zhǎng)期不可逾越的障礙，達(dá)到150V和200V。在正向偏置時(shí)，高壓SBD的PN結(jié)的導(dǎo)通門限電壓為0.6V，而肖特基勢(shì)壘的結(jié)電壓僅約0.3V，故正向電流幾乎全部由肖特基勢(shì)壘供給。

　　【ASEMI講解肖特基二極管的命名】

　　肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，

　　完整的叫法是：肖特基整流二極管（Schottky Rectifier Diode 縮寫成SR），

　　也有人叫做：肖特基勢(shì)壘二極管（Schottky Barrier Diode 縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。

　　肖特基：Schottky

　　整流：Rectifier

　　SR:即為肖特基整流二極管

　　Schottky Rectifier Diode:肖特基整二極管，簡(jiǎn)稱：SR,比如：SR107,SR10100CT……

　　勢(shì)壘：Barrier

　　SB:即為肖特基勢(shì)壘二極管

　　肖特基二極管也稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱SBD），國(guó)內(nèi)廠家也有叫做"SB1045CT、SR10100、SL…、BL…