在負(fù)載RL中有電流流過(guò)，其電流大小取決于光電靶在該單元的電阻值大小。光照強(qiáng)處對(duì)應(yīng)阻值較小，流過(guò)負(fù)載RL的電流就較大，因而RL兩端產(chǎn)生的壓降也就較大。光電效應(yīng)當(dāng)電子從外界獲得能量時(shí)將會(huì)跳到較高的能階，獲得的能量越多跳的能階也越高，電子處在較高的能階時(shí)并不穩(wěn)定，很快就會(huì)把獲得的能量釋放回到原來(lái)的能階。負(fù)載電阻RL上形成電壓就是攝像管輸出的圖像信號(hào)。光電轉(zhuǎn)換過(guò)程（圖像的攝取過(guò)程）：被攝景物通過(guò)攝像機(jī)的光學(xué)鏡頭在光電靶上成像，被電子束將這幅圖像分解為像素，同時(shí)把各個(gè)像素的亮度轉(zhuǎn)變?yōu)樵谪?fù)載電阻RL上大小不同的電壓降，從而形成攝像管輸出信號(hào)。

稱之為光生電子空穴對(duì)(light-generatedelectron-holepairs)。電子空穴對(duì)的數(shù)目越多導(dǎo)電的效果也越好，因?yàn)楣馐沟脤?dǎo)電效果變好的現(xiàn)象稱之為光導(dǎo)效應(yīng)(photoconductiveeffect)。主要用于下述幾個(gè)方面：能源----硅光電池串聯(lián)或并聯(lián)組成電池組與鎳鎘電池配合、可作為人造成衛(wèi)1星、宇宙飛船、航標(biāo)燈、無(wú)人氣象站等設(shè)備的電源。自由電子與空穴的多寡對(duì)電氣特性有很大的影響，越多的自由電子與空穴可以使導(dǎo)電性增加，同時(shí)也可以使輸出電流增加，因此可以推測(cè)陽(yáng)光越強(qiáng)時(shí)生成的自由電子與空穴越多，則輸出電流也越大。然而如果只是單純的產(chǎn)生自由電子與空穴，將會(huì)因?yàn)槟Σ良芭鲎驳纫蛩厥ツ芰浚笞杂呻娮訒?huì)與空穴復(fù)合而無(wú)法利用。

只有當(dāng)光照射pn結(jié)時(shí)才能使耗盡層內(nèi)產(chǎn)生載流子(電子-空穴對(duì))，載流子被結(jié)內(nèi)電場(chǎng)加速形成光電流。利用該原理制成的光電二極管稱為耗盡層光電二極管。1產(chǎn)生電場(chǎng)的方式很多如PN接面、金屬半導(dǎo)體接面等，其中最1常用的方式為PN接面。耗盡層光電二極管有pin層、pn層、金屬-半導(dǎo)體型、異質(zhì)型等CCD(Charge Coupled Device)即電荷耦合器件，通過(guò)輸入面上光電信號(hào)逐點(diǎn)的轉(zhuǎn)換、儲(chǔ)存和傳輸，在其輸出端產(chǎn)生一時(shí)序信號(hào)。隨著科技的進(jìn)步，CCD技術(shù)日臻完善，已廣泛用于安全防范、電視、工業(yè)、通信、遠(yuǎn)程教育、可視網(wǎng)絡(luò)1電話等領(lǐng)域。

應(yīng)用隨著傳統(tǒng)燃料能源的減少以及對(duì)環(huán)境造成的危害也越來(lái)越嚴(yán)重 ,能源問(wèn)題日益成為制約國(guó)際社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸，越來(lái)越多的國(guó)家制定了大力發(fā)展太陽(yáng)能的計(jì)劃。硫化1鎘光敏電阻對(duì)可見(jiàn)光敏感,用硫1化鎘單晶制造的光敏電阻對(duì)X射線、γ射線也敏感。例如，美國(guó)的“ 光伏建筑計(jì)劃”、歐洲的“百萬(wàn)屋頂光伏計(jì)劃” ，日本的“朝日計(jì)劃 ” ，以及我國(guó)發(fā)展的“光明工程 ”等都極大地促進(jìn)了太陽(yáng)能的發(fā)展。當(dāng)前太陽(yáng)能電池產(chǎn)品類型主要有單晶硅、多晶硅、非晶硅、化合物半導(dǎo)體和疊層太陽(yáng)能電池等，主要應(yīng)用在以下領(lǐng)域。