IGBT測(cè)試裝置技術(shù)要求 （1）設(shè)備功能 IGBT模塊檢測(cè)裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。數(shù)據(jù)提?。簻y(cè)試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)為Excel文件及其他用戶需要的任何數(shù)據(jù)格式，特別是動(dòng)態(tài)測(cè)試波形可存儲(chǔ)為數(shù)據(jù)格式。系統(tǒng)的測(cè)試原理符合相應(yīng)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，系統(tǒng)為獨(dú)立式單元，封閉式結(jié)構(gòu)，具有升級(jí)擴(kuò)展?jié)撃堋?IGBT模塊檢測(cè)裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，在IGBT的檢測(cè)中，采用大電流脈沖對(duì)IGBT進(jìn)行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測(cè)。為提供穩(wěn)定的大電流脈沖，采用了支撐電容補(bǔ)償及步進(jìn)充電的方法，解決IGBT進(jìn)行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測(cè)問(wèn)題。

（2）主要技術(shù)參數(shù) 1）基本參數(shù) 功率源： 5000V 1200A 2）柵極-發(fā)射極漏電流IGES IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA 集電極電壓VCE： 0V 柵極電壓Vge： 0-40V±3%±0.1V 3）集電極-發(fā)射極電壓 集電極電壓VCES： 100-5000V±2%±10V 集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓Vge： 0V 4）集電極-發(fā)射極飽和電壓VCESat VCESat：0.2-5V 柵極電壓Vge： ±15V±2%±0.2V 集電極電流ICE： 10-1200A±2%±1A 5）集電極-發(fā)射極截止電流ICES 集電極電壓VCE： 100-5000V±3% 集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓VGE： 0V 6）柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGEth： 1-10V±2%±0.1V Vce： 12V 集電極電流ICE： 30mA±3% 7）二極管壓降測(cè)試 VF： 0-5V±2%±0.01V IF： 0-1200A±2%±1A Vge： 0V

8）高壓大功率開(kāi)關(guān)

?電流能力 200A

?隔離耐壓 10kV

?響應(yīng)時(shí)間 150ms

?脈沖電流 20kA（不小于10ms）

?工作方式 氣動(dòng)控制

?工作氣壓 0.4MPa

?工作溫度 室溫～40℃

?工作濕度 <70%

9）尖峰抑制電容

用于防止關(guān)斷瞬態(tài)過(guò)程中的IGBT器件電壓過(guò)沖。

?電容容量 200μF

?分布電感 小于10nH

?脈沖電流 200A

?工作濕度 <70%