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接下來(lái)我們將一起看一下ASEMI肖特基二極管和超快恢復(fù)二極管、快恢復(fù)二極管、硅高頻整流二極管、硅高速開(kāi)關(guān)二極管的性能比較。

在頻率上，肖特基二極管大于超快恢復(fù)二極管大于快恢復(fù)二極管大于硅高頻整流二極管大于硅高速開(kāi)關(guān)二極管；

在電流范圍上，肖特基二極管大于超快恢復(fù)二極管大于快恢復(fù)二極管大于硅高頻整流二極管大于硅高速開(kāi)關(guān)二極管；

在耐壓限制范圍上，肖特基二極管小于超快恢復(fù)二極管小于快恢復(fù)二極管小于硅高頻整流二極管小于硅高速開(kāi)關(guān)二極管；

由表可見(jiàn)，硅高速開(kāi)關(guān)二極管的trr雖極低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。

為解決SBD在高溫下易產(chǎn)生由金屬-半導(dǎo)體的整流接觸變?yōu)闅W姆接觸而失去導(dǎo)電性這一肖特基勢(shì)壘的退化問(wèn)題，ASEMI通過(guò)退火處理，形成金屬-金屬硅化物-硅勢(shì)壘，從而提高了肖特基勢(shì)壘的高溫性能與可靠性。

ASEMI生產(chǎn)的肖特基二極管全部采用俄羅斯米克朗大芯片，產(chǎn)品系列通過(guò)歐盟rosh以及美國(guó)ul認(rèn)證，銷售覆蓋全球。

為了獲得正向壓降低和反向漏電流小的SiCSBD，采用Ni接觸與Ti接觸相結(jié)合、高/低勢(shì)壘雙金屬溝槽(DMT)結(jié)構(gòu)的SiCSBD設(shè)計(jì)方案是可行的。采用這種結(jié)構(gòu)的SiCSBD，反向特性與Ni肖特基整流器相當(dāng)，在300V的反向偏壓下的反向漏電流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性類似于NiSBD。采用帶保護(hù)環(huán)的6H-SiCSBD，擊穿電壓達(dá)550V。