氧化鋅（ZnO）單晶已被應(yīng)用于表面聲波(SAW)器件、氣敏元件、壓電元件、透明導(dǎo) 電體、壓敏電阻等眾多方面。作為氧化鋅單晶的培養(yǎng)方法，已知有利用水熱合成法的培養(yǎng)方法。常見的氧化鋅（ZnO）屬六方晶系,纖鋅礦結(jié)構(gòu),點(diǎn)群為6mm,空間群為P6mc,z=2,a=0.32488mm,c=0.51969mm。znO晶體中,Z離子和O離子沿c軸交替堆積,(O001)面終結(jié)于正電荷Z離子,(0001)面終結(jié)于負(fù)電荷O離子,因此,氧化鋅（ZnO）單晶具有極性。

目前,生長氧化鋅（ZnO）單晶體的方法有CvT、助熔劑法、溶液法和水熱法。采用水熱法已經(jīng)生長出2~3英寸的ZnO晶體,這證明水熱法是一種生長高質(zhì)量、大尺寸ZnO單晶體的zui有效的方法。555常見的氧化鋅（ZnO）屬六方晶系,纖鋅礦結(jié)構(gòu),點(diǎn)群為6mm,空間群為P6mc,z=2,a=0.32488mm,c=0.51969mm。znO晶體中,Z離子和O離子沿c軸交替堆積,(O001)面終結(jié)于正電荷Z離子,(0001)面終結(jié)于負(fù)電荷O離子,因此,氧化鋅（ZnO）單晶具有極性。

氧化鋅（ZnO）的帶邊發(fā)射在紫外區(qū)，非常適宜作為白光LED的激發(fā)光源材料，凸顯了氧化鋅（ZnO）在半導(dǎo)體照明工程中的重要地位，并且與SiC、GaN等其它的寬帶隙材料相比，氧化鋅（ZnO）晶體主要性能參數(shù)：晶體結(jié)構(gòu)：六方；晶格常數(shù)：a=3.252A c=5.313 A；密度：5.7（g/cm3）；硬度：4（mohs）；熔點(diǎn)：1975℃；熱膨脹系數(shù)：6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c。

改變正交表中的四個因素（煅燒時間、分散介質(zhì)、鋅銨比和煅燒溫度），氧化鋅的粒徑和形貌不斷變化，但晶型保持不變。四個因素（煅燒時間、分散介質(zhì)、鋅銨比和煅燒溫度）對納米氧化鋅的粒徑均有影響，其影響程度由大到小順序?yàn)殪褵郎囟取⒎稚⒔橘|(zhì)、煅燒時間、鋅銨比，且優(yōu)方案確定為煅燒溫度為300℃、分散介質(zhì)為5mL無水乙醇、煅燒時間為1h、鋅銨比為1:3。