磁控濺射——濺射技術(shù)介紹

直流濺射法：直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極，從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料，不適于絕緣材料。因為轟擊絕緣靶材時，表面的離子電荷無法中和，這將導(dǎo)致靶面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上，兩極間的離子加速與電離的機會將變小，甚至不能電離，導(dǎo)致不能連續(xù)放電甚至放電停止，濺射停止?？刂葡到y(tǒng)：硬件：PLC和計算機觸摸屏控制自動和手動沉積控制主要特點：射頻電源：基底預(yù)先清洗和等離子體輔助沉積溫度控制器：基底加熱大面積基底傳送裝置冷卻系統(tǒng)。故對于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁模氂蒙漕l濺射法（RF）。

濺射過程中涉及到復(fù)雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞，入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子；具有一體化、占用空間小、靈活的特點，無需380V工業(yè)電，無需額外冷水機，采用無油干泵分子泵組，無需操心真空系統(tǒng)和操作間環(huán)境泵油污染。某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘（對于金屬是5-10 eV），從而從晶格點陣中被碰撞出來，產(chǎn)生離位原子；這些離位原子進(jìn)一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞，產(chǎn)生碰撞級聯(lián)；當(dāng)這種碰撞級聯(lián)到達(dá)靶材表面時，如果靠近靶材表面的原子的動能大于表面結(jié)合能（對于金屬是1-6eV），這些原子就會從靶材表面脫離從而進(jìn)入真空。

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【磁控濺射鍍膜設(shè)備】使用注意事項

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磁控濺射鍍膜設(shè)備是目種鍍膜產(chǎn)品，相比傳統(tǒng)的水電鍍來講，磁控濺射鍍膜設(shè)備無毒性，能夠掩蓋，彌補多種水電鍍的缺陷。

近年來磁控濺射鍍膜設(shè)備技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用，現(xiàn)國內(nèi)磁控濺射鍍膜設(shè)備廠家大大小小的也非常多，但是專注于磁控濺射鍍膜設(shè)備生產(chǎn)，

經(jīng)驗豐富的卻造磁控濺射鍍膜設(shè)備廠家，就一定會有一定的規(guī)模，這類磁控濺射鍍膜設(shè)備不像是小件的東西，

磁控濺射鍍膜設(shè)備其技術(shù)含量非常的高，選購磁控濺射鍍膜設(shè)備時一定要先了解。

磁控濺射鍍膜設(shè)備技術(shù)含量高，那么就一定要擁有一個非常強大的磁控濺射鍍膜設(shè)備技術(shù)工程隊伍，

磁控濺射鍍膜設(shè)備行業(yè)資深的，磁控濺射鍍膜設(shè)備可根據(jù)用戶的產(chǎn)品工藝及物殊要求設(shè)計配置。

磁控濺射鍍膜機導(dǎo)致不均勻因素哪些？

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原理上講，兩點：氣場和磁場

磁控濺射在0.4Pa的氣壓情況下離子撞擊靶材，濺射出粒子沉積到基材上，整體靶材的電壓幾乎一致，不影響濺射速率。

0.4Pa的氣場情況是濺射速率較高的情況，氣場變化，壓強變大和變小都會影響濺射速率。

磁場大，束縛的自由電子增多，濺射速率增大，磁場小，束縛的自由電子就少，濺射速率降低。

穩(wěn)定住氣場和磁場，濺射速率也將隨之穩(wěn)定。

在實際情況下，氣場穩(wěn)定，需要設(shè)計布?xì)庀到y(tǒng)，將布?xì)庀到y(tǒng)分級布置，保障鍍膜機腔體內(nèi)不同位置的進(jìn)氣量相同，同時，布?xì)庀到y(tǒng)、靶材、基材等要遠(yuǎn)離鍍膜機的抽氣口。特別是透明導(dǎo)電玻璃廣泛應(yīng)用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。需要穩(wěn)定磁場，用高斯計測量靶材表面磁場強度，由于磁場線本身是閉合曲線，靶材磁場回路兩端磁場強度自然比中間位置強，可以選擇用弱磁鐵，同時，基材要避開無法調(diào)整的磁場變化較大的部分。

另外，在設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)計方面，磁控濺射過程中，需要基材與靶材保持同軸，如果旋轉(zhuǎn)、直線運行的話，也要同軸旋轉(zhuǎn)、直線運行。