I老化原因？C

為什么老化跟時間有關？

為什么電路速度會隨時間原來越慢呢？因為斷鍵是隨機發(fā)生，需要時間積累。另外，前面提到的斷裂的Si-H鍵是可以自己恢復的，所以基于斷鍵的老化效應都有恢復模式。對于NBTI效應來說，加反向電壓就會進恢復模式；對于HCI效應來說，停止使用就進入恢復模式。但是這兩種方式都不可能長時間發(fā)生，所以總的來說，芯片是會逐漸老化的。芯片組，則是一系列相互關聯(lián)的芯片組合，它們相互依賴，組合在一起能發(fā)揮更大的作用，比如計算機里面的處理器和南北橋芯片組，手機里面的射頻、基帶和電源管理芯片組。

為什么老化跟溫度有關？

為什么電路速度跟溫度也有影響呢？溫度表示宏觀物體微觀粒子的平均動能。溫度越高，電子運動越劇烈，Si?HSi?H鍵斷鍵幾率就大。

為什么加壓會加速老化？

為什么加壓有影響呢？同樣的晶體管，供電電壓越高偏移電壓越高，偏移電壓越高氫原子游離越快，等于壓制了自發(fā)的恢復效應，自然老化就快了。

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4GHzCMOS全數(shù)字鎖相環(huán)

隨著深亞微米CMOS工藝的發(fā)展,工藝尺寸的縮小使模擬電路的設計變得更加復雜,盡可能采用數(shù)字電路代替模擬電路成為發(fā)展的趨勢。鎖相環(huán)作為時鐘產生電路是射頻通信系統(tǒng)中的關鍵模塊,其中全數(shù)字鎖相環(huán)具有良好的集成性、可移植性和可編程性,以及能夠實現(xiàn)較好的相位噪聲指標等優(yōu)勢,得到了越來越廣泛的研究和發(fā)展。DB文件獲得網表和時序約束信息進行自動放置標準單元，同時進行時序檢查和單元放置優(yōu)化。本文著重于2.4GHz CMOS全數(shù)字鎖相環(huán)的研究與設計,主要工作包括:

1)首先分析并推導了全數(shù)字鎖相環(huán)的主要性能指標,接著分析了I型和II型全數(shù)字鎖相環(huán)的原理和結構特點,并分析了環(huán)路參數(shù)對整個環(huán)路特性與穩(wěn)定性的影響。

2)提出一種用于時間數(shù)字轉換器(Time-to-Digital Converter,TDC)的互補比較器的結構,在傳統(tǒng)比較器結構的基礎上,疊加一個與之互補的比較器,能夠消除輸出波形的毛刺,降低輸入失調電壓,提高比較器的工作速度,進而改善比較器的精度。NanoSim(Star-SIMXT)NanoSim集成了業(yè)界的電路技術，支持Verilog-A和對VCS器的接口，能夠進行電路的工具，其中包括存儲器和混合信號的。

3)提出一種可重構數(shù)字濾波器(Digital Loop Filter,DLF),將DLF的參數(shù)KP、KI做成芯片外的控制端口,通過片外手動調節(jié)來改變芯片內部的參數(shù),可以改變全數(shù)字鎖相環(huán)的帶寬,開環(huán)和閉環(huán)響應,以及幅度響應等,終能夠方便地在片外調節(jié),使環(huán)路達到鎖定狀態(tài)。這一階段使用VHDL或VerilogHDL語言的輸入工具編寫代碼。

4)分析和設計了一款數(shù)控振蕩器(Digitally Controlled Oscillator,DCO),采用CMOS交叉耦合LC振蕩器,包括粗調、中調和精調三個電容陣列和ΔΣ調制器。其中,粗調單元采用MIM電容,中調和精調單元采用兩對反向連接的PMOS對管構成MOS電容,本文DCO的增益為300kHz左右,使用ΔΣ調制器后,DCO的分辨率可以達到5kHz左右。對于當今所有的IC設計，DCUltra是可以利用的的綜合平臺。

集成電路芯片有什么歸類？

一、作用構造歸類

集成電路芯片，又稱之為IC，按其作用、構造的不一樣，能夠 分成模擬集成電路芯片、數(shù)據(jù)集成電路芯片和數(shù)/?；旌图呻娐沸酒箢悺?

二、加工工藝歸類

集成電路芯片按加工工藝可分成半導體材料集成電路芯片和膜集成電路芯片。

三、導電性種類不一樣

集成電路芯片按導電性種類可分成雙極型集成電路芯片和單極型集成電路芯片，她們全是數(shù)據(jù)集成電路芯片。

雙極型集成電路芯片的加工工藝繁雜，功能損耗很大，意味著集成電路芯片有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等種類。單極型集成電路芯片的加工工藝簡易，功能損耗也較低，便于做成規(guī)模性集成電路芯片，意味著集成電路芯片有CMOS、NMOS、PMOS等種類?？蓽y試性設計（即DesignForTest），通常用來檢測和調試生產過程中的良率問題。