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光刻膠市場(chǎng)空間與半導(dǎo)體的分不開。2012-2018年半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模復(fù)合增速8.23%，在半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展下，半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)持續(xù)增長。

而，因半導(dǎo)體、液晶面板以及消費(fèi)電子等產(chǎn)業(yè)向國內(nèi)轉(zhuǎn)移，NR73G 6000P光刻膠公司，對(duì)光刻膠需求量迅速增量。

但是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，從光刻膠的市場(chǎng)競(jìng)爭格局來看，光刻膠市場(chǎng)主要由日韓企業(yè)主導(dǎo)，國內(nèi)企業(yè)市場(chǎng)份額集中在低端的PCB光刻膠上，高技術(shù)壁壘的LCD 和半導(dǎo)體光刻膠主要依賴進(jìn)口。根據(jù)某些數(shù)據(jù)顯示，國內(nèi)光刻膠產(chǎn)值當(dāng)中，NR73G 6000P光刻膠廠家，PCB光刻膠的占比高達(dá)95%，半導(dǎo)體光刻膠和LCD光刻膠產(chǎn)值占比都僅有2%。

由上分析可知，我國目前在光刻膠領(lǐng)域急需技術(shù)突破的。

光刻膠相關(guān)知識(shí)

光刻開始于一種稱作光刻膠的感光性液體的應(yīng)用。圖形能被映射到光刻膠上，然后用一個(gè)developer就能做出需要的模板圖案。光刻膠溶液通常被旋轉(zhuǎn)式滴入wafer。如圖2.5所示，wafer被裝到一個(gè)每分鐘能轉(zhuǎn)幾千轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)盤上。幾滴光刻膠溶液就被滴到旋轉(zhuǎn)中的wafer的中心，離心力把溶液甩到表面的所有地方。光刻膠溶液黏著在wafer上形成一層均勻的薄膜。多余的溶液從旋轉(zhuǎn)中的wafer上被甩掉。薄膜在幾秒鐘之內(nèi)就縮到它后期的厚度，溶劑很快就蒸發(fā)掉了，wafer上就留下了一薄層光刻膠。然后通過烘焙去掉后面剩下的溶劑并使光刻膠變硬以便后續(xù)處理。鍍過膜的wafer對(duì)特定波成的光線很敏感，特別是紫外（UV）線。相對(duì)來說他們?nèi)耘f對(duì)其他波長的，包括紅，橙和黃光不太敏感。所以大多數(shù)光刻車間有特殊的黃光系統(tǒng)。

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光刻膠工藝

主要用于半導(dǎo)體圖形化工藝，NR73G 6000P光刻膠哪家好，是半導(dǎo)體制造過程中的重要步驟。光刻工藝?yán)没瘜W(xué)反應(yīng)原理把事先制備在掩模上的圖形轉(zhuǎn)印到晶圓，完成工藝的設(shè)備光刻機(jī)和光刻膠都是占半導(dǎo)體芯片工廠資產(chǎn)的大頭。

在目前比較主流的半導(dǎo)體制造工藝中，一般需要40 步以上獨(dú)立的光刻步驟，貫穿了半導(dǎo)體制造的整個(gè)流程，光刻工藝的先進(jìn)程度決定了半導(dǎo)體制造工藝的先進(jìn)程度。光刻過程中所用到的光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造中的設(shè)備。目前，ASML 的NXE3400B售價(jià)在一億歐元以上，媲美一架F35 戰(zhàn)斗機(jī)。

按曝光波長，光刻膠可分為紫外（300~450 nm）光刻膠、深紫外（160~280 nm）光刻膠、極紫外（EUV，13.5 nm）光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。按照應(yīng)用領(lǐng)域的不同，光刻膠又可以分為印刷電路板（PCB）用光刻膠、液晶顯示（LCD）用光刻膠、半導(dǎo)體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB光刻膠技術(shù)壁壘相對(duì)其他兩類較低，而半導(dǎo)體光刻膠代表著光刻膠技術(shù)先進(jìn)水平。

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