氧化鎂（MgO）是離子化合物，同樣也是離子晶體，雖然一般來說，原子晶體的熔點(diǎn)的確比離子晶體高，鍵能較低的原子晶體熔點(diǎn)明顯比鍵能高的離子晶體低。在高溫超導(dǎo)領(lǐng)域，氧化鎂晶體作為薄膜生長基片和半導(dǎo)體材料的襯底駐基片同其它材料相比(如金剛石、白藍(lán)寶石等)具有明顯的價(jià)格優(yōu)勢，且性能良好。暴露在空氣中，容易吸收水分和二氧化碳而逐漸成為堿式碳酸鎂，輕質(zhì)品較重質(zhì)品更快，與水結(jié)合在一定條件下生成氫氧化鎂，呈微堿性反應(yīng)，飽和水溶液的pH為10.3。

氧化鎂的熔點(diǎn)在2800°C以上，沸點(diǎn)為3600°C，所以要想得到大尺寸、高純度的氧化鎂單晶，對(duì)原料的選擇和控制要求非常嚴(yán)格。暴露在空氣中，容易吸收水分和二氧化碳而逐漸成為堿式碳酸鎂，輕質(zhì)品較重質(zhì)品更快，與水結(jié)合在一定條件下生成氫氧化鎂，呈微堿性反應(yīng)，飽和水溶液的pH為10.3。由于氧化鎂良好的電絕緣性和耐腐蝕性等功能特性,可以制成透明陶瓷、發(fā)光品體,催化劑等,同時(shí)它還是一種優(yōu)良的薄膜生長基質(zhì)材料。

在氧化鎂單晶基片上制造的高溫超導(dǎo)薄膜，其物理性能穩(wěn)定、質(zhì)量優(yōu)越，在眾多高溫超導(dǎo)基片中，大有成為不可取代的選擇。氧化鎂(Mg0)是一種重要的金屬氧化物陶瓷材料,它具有高的熔點(diǎn)(~2830℃)、較低的密度(358gcm3)、較高的斷裂模數(shù)等性質(zhì),被廣泛用作高溫耐火材料,涂料等。氧化鎂單晶是以高純氧化鎂為原料，在生產(chǎn)高純電熔鎂砂過程產(chǎn)出的高純氧化鎂單晶體，MgO含量在99.90%以上，體積密度大于3.5g/cm3。

白色或淡黃色粉末，無臭、無味，本品不溶于水和乙醇，熔點(diǎn)2852℃，沸點(diǎn)3600℃，氧化鎂有高度耐火絕緣性能。氧化鎂的熔點(diǎn)在2800°C以上，沸點(diǎn)為3600°C，所以要想得到大尺寸、高純度的氧化鎂單晶，對(duì)原料的選擇和控制要求非常嚴(yán)格。MgO晶體是一種典型的氧化物離子晶體 ,也是一種重要的光學(xué)、陶瓷材料。同時(shí) ,MgO晶體也是研究晶體中色心性質(zhì)的一種主要材料。