從光學(xué)應(yīng)用的角度來講，單晶YSZ因其折射率高、色散大、物化性能穩(wěn)定，常被用作高溫光學(xué)元件，以及在光學(xué)設(shè)備中作為激光基質(zhì)晶體。氧化鋯(YSZ)晶體技術(shù)參數(shù)。 晶體結(jié)構(gòu)：立方；晶格常數(shù):a = 5.125  ?；密度:5.8 g  / cm3；純度: 99.99%；熔點(diǎn): 2800°c；熱膨脹系數(shù):10.3 x10-6/ °c；介電常數(shù):27；晶體生長方法：弧熔法。

常壓下純的氧化鋯(YSZ)有三種晶型，低溫為單斜晶系，密度5.68g/cm3， 高溫為四方晶系，密度6.10g/cm3，更高溫度下為立方晶系，密度6.27g/cm3，三種晶型相互間的轉(zhuǎn)化關(guān)系如下：單斜ZrO2  →  四方ZrO2  →  立方ZrO2  →   熔體。單晶氧化鋯(YSZ)陶瓷材料因其高強(qiáng)度、高硬度、耐腐蝕、耐高溫而被認(rèn)為是具有廣泛應(yīng)用前景的新型陶瓷。

氧化鋯已經(jīng)在陶瓷、耐火材料、機(jī)械、電子、光學(xué)、航空航天、生物、化學(xué)等等各種領(lǐng)域獲得廣泛的應(yīng)用。常溫下， 氧化鋯只能是單斜相，當(dāng)用鋯鹽煅燒，達(dá)到650℃時(shí)，出現(xiàn)穩(wěn)定的四方相，繼續(xù)升高時(shí)四方相逐步轉(zhuǎn)變?yōu)閱涡毕?，再繼續(xù)升溫至830℃時(shí)， 氧化鋯又開始向四方相轉(zhuǎn)變，至1170℃時(shí)，完全轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆较?，溫度升?370℃時(shí)轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎较?