光刻膠的應(yīng)用

光刻膠的應(yīng)用

       1975年，美國(guó)的國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)首先為微電子工業(yè)配套的超凈高純化學(xué)品制定了國(guó)際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)——SEMI標(biāo)準(zhǔn)。隨著國(guó)內(nèi)廠商占據(jù)LCD市場(chǎng)比重越來(lái)越大，國(guó)內(nèi)LCD光刻膠需求也會(huì)持續(xù)增長(zhǎng)。1978年，德國(guó)的伊默克公司也制定了MOS標(biāo)準(zhǔn)。兩種標(biāo)準(zhǔn)對(duì)超凈高純化學(xué)品中金屬雜質(zhì)和(塵埃)微粒的要求各有側(cè)重，分別適用于不同級(jí)別IC的制作要求。其中，SEMI標(biāo)準(zhǔn)更早取得世界范圍內(nèi)的普遍認(rèn)可。

光刻膠工藝

普通的光刻膠在成像過(guò)程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻膠圖形的對(duì)比度，從而降低了圖形的分辨率。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負(fù)性膠的分辨率，但是薄負(fù)性膠會(huì)影響孔。隨著曝光加工特征尺寸的縮小，入射光的反射和散射對(duì)提高圖形分辨率的影響也越來(lái)越大。為了提高曝光系統(tǒng)分辨率的性能，F(xiàn)uturrex 的光刻膠正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術(shù)。該技術(shù)的引入，可明顯減小光刻膠表面對(duì)入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復(fù)雜性和光刻成本的增加。

?Futurrex

提供先進(jìn)化學(xué)技術(shù)的多樣化解決方案

成立于1985年,總部設(shè)在美國(guó)新澤西州，富蘭克林市,高速成長(zhǎng)并超過(guò)20年連續(xù)盈利的跨國(guó)公司

公司業(yè)務(wù)覆蓋范圍包括北美，亞太以及歐洲

基于多樣化的技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：微電子、光電子、LED、太陽(yáng)能光伏、微機(jī)電系統(tǒng)、生物芯片、微流體、平面印刷

解決方案：的光刻膠、摻雜涂層、平坦化涂層、旋制氧化硅(spin-onglase)。阻擋層(Barrior Layere)、濕法制程

客戶：從財(cái)富100強(qiáng)到以風(fēng)險(xiǎn)投資為背景的設(shè)備研發(fā)及制造公司

使命

目標(biāo)

提供特殊化學(xué)品和全新工藝來(lái)增加客戶的產(chǎn)能

策略

提供獨(dú)特的產(chǎn)品來(lái)優(yōu)化生產(chǎn)制程，以提高設(shè)備能效

領(lǐng)的技術(shù)提升生產(chǎn)過(guò)程中的整體性價(jià)比

工藝步驟的減少降低了成本和產(chǎn)生瑕疵的可能

增加客戶的產(chǎn)能和生產(chǎn)的效率

工藝減化

非同尋常的顯微構(gòu)造、金屬及介電層上的圖形轉(zhuǎn)換、光刻、平坦化、摻雜、蝕刻、邦定

在生產(chǎn)過(guò)程中，不含有害溶劑

支持所有客戶的需要，與客戶共創(chuàng)成功